多種太陽能電池

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1、多 種 太 陽 能 電 池 的 簡 介西 科 大 理 學 院光 電 半 導 體 實 驗 室2011.3.2 主 要 電 池 種 類l 非 晶 硅 太 陽 能 電 池l 多 晶 硅 薄 膜 電 池l Cu2S /CdS電 池l CuInGaSe電 池l CdTe電 池l 電 池 的 發(fā) 展 情 況 一 、 非 晶 硅 太 陽 能 電 池1、 電 池 結(jié) 構(gòu) 簡 介（ 1） 非 晶 硅 材 料 的 特 點l 由 于 非 晶 硅 材 料 是 亞 穩(wěn) 固 體 ， 其 晶 格 的 近 程 配位 與 相 應(yīng) 晶 體 的 相 當 。 但 它 是 長 程 無 序 ， 原 子間 的 鍵 長 與 鍵 角 存 在

2、隨 機 的 微 小 變 化 ，l 它 的 實 際 結(jié) 構(gòu) 為 硅 原 子 組 成 的 網(wǎng) 絡(luò) 結(jié) 構(gòu) ； 網(wǎng) 絡(luò)內(nèi) 的 硅 懸 掛 鍵 密 度 比 較 高 。l 通 常 非 晶 材 料 的 光 電 導 很 低 這 些 是 非 晶 硅 結(jié) 構(gòu) 的 兩 個 基 本 特 點 。 一 、 非 晶 硅 太 陽 能 電 池（ 2） 電 池 的 結(jié) 構(gòu)l a-Si太 陽 電 池 基 本 結(jié) 構(gòu) 不 是 pn結(jié) 而 是 pin結(jié) 。摻 硼 形 成 p區(qū) ， 摻 磷 形 成 n區(qū) ， i為 非 雜 質(zhì) 或 輕摻 雜 的 本 征 層l pin結(jié) 構(gòu) 的 a-Si電 池 的 厚 度 取 0.5m左 右 ， 而 作為

3、 死 光 吸 收 區(qū) 的 p,n層 的 厚 度 在 10nm量 級 。 電 池 的 特 點l （ 1） 材 料 和 制 造 工 藝 成 本 低 。這 是 因 為 襯 底 材 料 ， 如 玻 璃 、 不 銹 鋼 、 塑 料 等 ， 價 格 低 廉 。 硅 薄 膜 厚 度不 到 1m， 昂 貴 的 純 硅 材 料 用 量 很 少 。l (2)制 作 工 藝 為 低 溫 工 藝 （ 100-300 ） ， 生 產(chǎn) 的 耗 電 量 小 ， 能 量 回收 時 間 短 ）l （ 3） 易 于 形 成 大 規(guī) 模 生 產(chǎn) 能 力l 因 為 核 心 工 藝 適 合 制 作 特 大 面 積 無 結(jié) 構(gòu) 缺 陷

4、的 a-Si合 金 薄 膜 ； 只 需改 變 氣 相 成 分 或 者 氣 體 流 量 便 可 實 現(xiàn) n結(jié) 以 及 相 應(yīng) 的 迭 層 結(jié) 構(gòu) ； 生 產(chǎn)可 全 流 程 自 動 化 。l （ 4） 品 種 多 ， 用 途 廣 。 薄 膜 的 aSi太 陽 電 池 易 于 實 現(xiàn) 集 成 化 ， 器 件功 率 、 輸 出 電 壓 、 輸 出 電 流 都 可 自 由 設(shè) 計 制 造 ， 可 以 較 方 便 地 制 作出 適 合 不 同 需 求 的 多 品 種 產(chǎn) 品 。 由 于 光 吸 收 系 數(shù) 高 ， 晴 電 導 很 低 ，適 合 制 作 室 內(nèi) 用 的 微 低 功 耗 電 源 ， 如 手 表

5、 電 池 、 計 算 器 電 池 等 。 由于 aSi膜 的 硅 網(wǎng) 結(jié) 構(gòu) 力 學 性 能 結(jié) 實 ， 適 合 在 柔 性 的 襯 底 上 制 作 輕 型 的 太 陽 電 池 。 一 、 非 晶 硅 太 陽 能 電 池l 主 要 是 初 始 光l 電 轉(zhuǎn) 換 效 率 較 低 ， 穩(wěn) 定 性 較 差 。 一 、 非 晶 硅 太 陽 能 電 池 發(fā) 展 方 向l （ 1） 加 強 a-Si基 礎(chǔ) 材 料 亞 穩(wěn) 特 性 及 其 克 服 辦 法 的 研 究 ， 達 到 基 本 上 消 除薄 膜 硅 太l 陽 電 池 性 能 的 光 致 衰 退 。l （ 2） 加 強 晶 化 薄 膜 硅 材 料 制

6、 備 技 術(shù) 探 索 和 研 究 ， 使 未 來 的 薄 膜 硅 太 陽電 池 產(chǎn) 品 既l 具 備 a-Si薄 膜 太 陽 電 池 低 成 本 的 優(yōu) 勢 ， 又 具 備 晶 體 硅 太 陽 電 池 長 壽 、 高效 和 高 穩(wěn) 定l 的 優(yōu) 勢 。 l （ 3） 加 強 帶 有 a-Si合 金 薄 膜 成 分 或 者 具 有 a-Si廉 價 特 色 的 混 合 疊 層 電 池的 研 究 ，l 把 aSi太 陽 電 池 的 優(yōu) 點 與 其 它 太 陽 電 池 的 優(yōu) 點 嫁 接 起 來 。l （ 4） 選 擇 最 佳 的 新 技 術(shù) 途 徑 ， 不 失 時 機 地 進 行 產(chǎn) 業(yè) 化 技 術(shù)

7、 開 發(fā) 二 、 多 晶 硅 薄 膜 太 陽 電 池1、 電 池 工 作 原 理多 晶 硅 薄 膜 太 陽 電 池 是 將 多 晶 硅 薄 膜 生 長 在 低 成本 的 襯 底 材 料 上 , 用 相 對 薄 的 晶 體 硅 層 作 為 太陽 電 池 的 激 活 層 , 不 僅 保 持 了 晶 體 硅 太 陽 電 池的 高 性 能 和 穩(wěn) 定 性 , 而 且 材 料 的 用 量 大 幅 度 下降 , 明 顯 地 降 低 了 電 池 成 本 。 多 晶 硅 薄 膜 太 陽電 池 的 工 作 原 理 與 其 它 太 陽 電 池 一 樣 , 是 基 于太 陽 光 與 半 導 體 材 料 的 作 用

8、而 形 成 光 伏 效 應(yīng) 。 2、 電 池 結(jié) 構(gòu) 特 點l 在 半 導 體 太 陽 能 電 池 中 , 吸 收 太 陽 光 能 量 所 必 要的 半 導 體 膜 的 厚 度 可 以 非 常 薄 ， 只 要 幾 微 米 。l 但 實 際 多 晶 硅 薄 膜 的 厚 度 一 般 是 50m 。l 研 制 了 薄 膜 型 太 陽 能 電 池 , 太 陽 能 電 池 的 薄 膜 化是 以 降 低 地 面 用 太 陽 能 電 池 制 作 成 本 和 節(jié) 省 昂貴 的 半 導 體 電 池 結(jié) 構(gòu) 材 料 為 目 的 的 三 、 Cu2S /CdS電 池l 電 池 的 結(jié) 構(gòu) ： 用 噴 涂 法 或 者

9、 真 空 蒸 發(fā) 制 備 CdS薄 膜 ， 再 采 用 含 Cu+的 氯 化 亞 銅 溶 液 常 規(guī) 浸 泡工 藝 ， 使 之 形 成 一 定 厚 度 的 Cu2S層 ， 完 后 沉積 出 柵 線 電 極 噴 涂 法 制 備 Cu2S /CdS電 池 制 備 方 法l 用 噴 涂 法 制 備 CdS薄 膜 ， 其 方 法 主 要 是 將 含 有 S和 Cd的 化 合 物 水溶 液 ， 用 噴l 涂 設(shè) 備 噴 涂 到 玻 璃 或 具 有 SnO2導 電 膜 的 玻 璃 及 其 它 材 料 的 襯 底上 ， 經(jīng) 熱 分 解 沉 積l 成 CdS薄 膜 。l 各 國 不 同 學 者 采 用 的 工

10、 藝 都 基 于 如 下 熱 分 解 效 應(yīng) ：l CdC12+（ NH2)2CS+2H20CdS十 2NH4Cl十 C02l 熱 分 解 溫 度 T 250 。 l 在 CdS膜 表 面 噴 涂 轉(zhuǎn) 型 物 質(zhì) ， 如 含 Cu+的 氯 化 亞 銅 溶 液 ， 或 采 用常 規(guī) 浸 泡 工 藝 ， 使 之 形 成 一 定 厚 度 的 Cu2S層 ， 并 經(jīng) 熱 擴 散 等 工藝 和 噴 涂 金 屬 層 作 電 極 ， 形 成 太 陽 電 池 。 電 子 束 蒸 發(fā) 法l 用 電 子 束 蒸 發(fā) 制 備 CdS薄 膜 ， 改 進 了 電 子 束 蒸發(fā) 設(shè) 備 ，l 避 免 了 在 蒸 發(fā) 過

11、程 中 CdS粒 子 飛 濺 。 采 用 常 規(guī)氯 化 亞 銅 浸 泡 法 形 成 Cu多 層 ， 從 而 構(gòu) 成Cu2S/CdS太 陽 電 池 ，l 此 方 法 制 得 的 電 池 最 佳 轉(zhuǎn) 換 效 率 為 6.2%。 電 池 的 優(yōu) 缺 點l Cu2S/CdS是 一 種 廉 價 太 陽 電 池 ， 它 具 有 成 本 低 、 制備 工 藝 十 分 簡 單 的 優(yōu) 點 。l CdS是 非 常 重 要 的 - 族 化 合 物 半 導 體 材 料 。 CdS薄膜 具 有 纖 鋅 礦 結(jié) 構(gòu) ， 是 直 接 帶 隙 材 料 ， 帶 隙 較 寬 。l Cu2S/CdS薄 膜 太 陽 電 池 工 藝

12、 不 穩(wěn) 定 ， 電 池 轉(zhuǎn) 換 效 率不 高 ， 穩(wěn) 定 性 差 ， 易 衰 降 ， 因 此 阻 礙 了 這 一 類 型 太 陽l 電 池 的 發(fā) 展 并 計 算 出 電 池 的 極 限 效 率 為 18%， 實 際 工藝 可 能 達 到 12.5%。 四 、 CIGS太 陽 能 電 池1、 電 池 的 結(jié) 構(gòu)從 光 入 射 層 開 始 ， 各 層分 別 為 :金 屬 柵 狀 電 極 、減 反 射 膜 、 窗 口 層(ZnO)、 過 渡 層 (CdS)、光 吸 收 層 (CIGS)、 金屬 背 電 極 (MO)、 玻 璃襯 底 。 四 、 CIGS太 陽 能 電 池l 最 早 是 用 n型

13、半 導 體 CdS作 窗 口 層 ， 其 禁 帶 寬 度 為2.42ev， 一 般 通 過 摻 入 少 量 的 ZnS， 成 為 CdZnS材 料 ，主 要 目 的 是 增 加 帶 隙l 近 年 來 的 研 究 發(fā) 現(xiàn) ， 窗 口 層 改 用 ZnO效 果 更 好 ， ZnO帶 寬 可 達 到 3.3eV， CdS的 厚 度 降 到 只 有 約 50nm， 只作 為 過 渡 層 。l 吸 收 層 CIGS(化 學 式 CuInGase)是 薄 膜 電 池 的 核 心 材料 ， 屬 于 正 方 晶 系 黃 銅 礦 結(jié) 構(gòu) 。 作 為 直 接 帶 隙 半 導 體 ，其 光 吸 收 系 數(shù) 高 達

14、10 5量 級 (幾 種 薄 膜 太 陽 能 材 料 中 較高 的 )。 禁 帶 寬 度 在 室 溫 時 是 1.04eV， 電 子 遷 移 率 和 空穴 遷 移 率 很 高 ， 制 備 方 法最 關(guān) 鍵 的 吸 收 層 的 制 備 有 許 多 不 同 的 方 法 ， 這 些 沉 積 制備 方 法 包 括 :l 蒸 發(fā) 法 、l 濺 射 后 硒 化 法 、l 電 化 學 沉 積 法 、l 噴 涂 熱 解 法l 絲 網(wǎng) 印 刷 法 現(xiàn) 在 研 究 最 廣 泛 、 制 備 出 電 池 效 率 比 較 高 的 是 共蒸 發(fā) 和 濺 射 后 硒 化 法 ， 被 產(chǎn) 業(yè) 界 廣 泛 采 用 蒸 發(fā) 法

15、簡 介l 共 蒸 發(fā) 方 法 是 研 究 最 深 入 的 方 法 ， 在 實 驗 室 里制 備 小 面 積 的 C工 GS薄 膜 太 陽l 電 池 ， 沉 積 的 CIGS薄 膜 質(zhì) 量 明 顯 高 于 其 它 技術(shù) 手 段 ， 電 池 效 率 較 高 ， 現(xiàn) 在 報 道l 的 最 高 轉(zhuǎn) 化 效 率 達 19.99%電 池 的 C工 GS層 就是 共 蒸 發(fā) 法 制 備 的 蒸 發(fā) 法 簡 介l 現(xiàn) 在 一 般 采 用 的 是 美 國 可 再 生 能 源 實 驗 室 (NREL)開 發(fā) 的 三 步 共 蒸 發(fā) 工藝 沉 積 方 法 。(l)襯 底 溫 度 保 持 在 約 350 左 右 ，

16、真 空 蒸 發(fā) In， Ga， Se三 種 元 素 ， 首 先制 備 形 成 (In， Ga)Se預(yù) 置 層 。(2)將 襯 底 溫 度 提 高 到 550一 580 ， 共 蒸 發(fā) Cu， Se， 形 成 表 面 富 Cu的CIGS薄 膜 。(3)保 持 第 二 步 的 襯 底 溫 度 不 變 ， 在 富 Cu的 薄 膜 表 面 再 根 據(jù) 需 要 補 充 蒸發(fā) 適 量 的 In、 Ga、 Se， 最 終 得 到 成 分 為 CulnGaSe的 薄 膜 。三 步 法 與 其 它 制 備 工 藝 相 比 ， 沉 積 得 到 的 CIGS薄 膜 ， 具 有 更 加 平 整 的 表面 ， 薄 膜

17、的 內(nèi) 部 非 常 致 密 均 勻 。 從 而 減 少 了 C工 GS層 的 粗 糙 度 ， 這 就可 以 改 善 CIGS層 與 緩 沖 層 的 接 觸 界 面 ， 在 減 少 漏 電 流 的 情 況 下 ， 提 高了 內(nèi) 建 電 場 ， 同 時 也 消 除 了 載 流 子 的 復 合 中 心 蒸 發(fā) 法 簡 介濺 射 硒 化 法 是 目 前 國 際 上 普 遍 采 用 的 方 法 。 由 于可 以 在 大 面 積 玻 璃 上 濺 射 金 屬 合 金 層 ， 成 份 可以 精 確 控 制 ;后 硒 化 材 料 可 以 采 用 固 態(tài) 的 硒 源 ，避 免 了 劇 毒 的 H2Se氣 體 ，

18、制 備 的 薄 膜 性 能 優(yōu)良 ， 大 面 積 電 池 組 件 的 效 率 可 以 達 到 13-15 ，非 常 適 合 大 面 積 開 發(fā) 。 現(xiàn) 在 已 經(jīng) 成 為 國 際 上 普遍 接 受 的 產(chǎn) 業(yè) 化 方 法 。 蒸 發(fā) 法 簡 介l 磁 控 濺 射 法 制 備 金 屬 預(yù) 制 層 的 基 本 原 理 可 以 歸納 如 下 :濺 射 時 通 入 少 量 惰 性 氣 體 (氫 氣 )， 利 用氣 體 輝 光 放 電 產(chǎn) 生 氫 離 子 Ar。 Ar+在 電 場 的 加速 作 用 下 ， 離 子 能 量 得 到 提 高 ， 加 速 飛 向 金 屬靶 材 ， 高 能 量 離 子 轟 擊

19、靶 表 面 ， 濺 射 出 Cu、 In、Ga離 子 。 濺 射 出 的 粒 子 沉 積 在 基 片 表 面 ， 基片 是 在 玻 璃 上 沉 積 Mo形 成 的 底 電 極 ，l 這 樣 就 形 成 銅 錮 嫁 (CIG)金 屬 預(yù) 制 層 。 蒸 發(fā) 法 簡 介l 后 硒 化 法 最 關(guān) 鍵 的 一 步 ， 是 對 制 備 的 金 屬 預(yù) 制層 進 行 高 溫 硒 化 ， 形 成 CIGS吸 收 層 。 現(xiàn) 在 研究 較 多 的 硒 化 方 法 ， 主 要 是 在 真 空 或 氫 氣 環(huán) 境下 使 Se在 高 溫 條 件 下 蒸 發(fā) ， 產(chǎn) 生 Se蒸 汽 ， 使其 和 預(yù) 制 膜 反 應(yīng)

20、 。 這 一 方 式 可 避 免 使 用 劇 毒 的H2Se氣 體 。 五 、 CdTe電 池l CdTe為 基 體 的 薄 膜 光 伏 器 件 ， 在 光 伏 科 技 界具 有 極 大的 吸 引 力 。 CdTe已 成 為 人 們 公 認 的 高 效 、 穩(wěn) 定 、廉 價 的 薄 膜 光 伏 器 件 材 料 。 CdTe多 晶 薄 膜 太陽 電 池 轉(zhuǎn) 換 效 率 理 論 值 ） 在 室 溫 下 為 27%， 目前 已 制 成 面 積 為 lcm2效 率 超 過 15%的 CdTe太陽 電 池 ， 面 積 為 706cm2的 組 件 ， 效 率 超 過10%。 薄 膜 材 料 的 制 備 方

21、 法制 備 CdTe薄 膜 方 法 主 要 有 ：（ 1） CSS(close-space-sublimation)， （ 2） 電鍍 ， （ 3） 絲 網(wǎng) 印 刷 ， （ 4） 化 學 氣 相 沉 積CVD， （ 5） 物 理 氣 相 沉 積 PVD，（ 6） MOCVD （ 7） 分 子 束 外 延 MBE（ 8） ABE， （ 9） 噴 涂 ， （ 10） 濺 射 ，（ 11） 真 空 蒸 發(fā) ， （ 12） 電 沉 積 等 。 l 其 具 體 工 藝 過 程 為 :首 先 將 高 純 度 CdS(SN)粉 末 用 瑪 瑙 體 研 磨 成 十 分 均 勻 的 細微 顆 粒 ， 加 入 1

22、0%(wt)的 CdCI， (助 熔 劑 )， 用 丙 二 醇 調(diào) 制成 一 定 粘 度 的 CdS漿 料 。 然 后 ， 用 絲 網(wǎng) 印 刷 機 在 200目 的尼 龍 絲 網(wǎng) 上 將 CdS漿 料 印 刷 在 清 洗 干 凈 了 的 玻 璃 襯 底 上 ，將 印 刷 了 CdS的 基 片 在 烘 箱 中 烘 干 (120 )一 個 小 時 ， 在一 個 大 氣 壓 的 N:氣 中 燒 結(jié) 約 半 小 時 ， 燒 結(jié) 溫 度 為 690 。l 其 次 ， 在 CdS層 上 印 刷 燒 結(jié) Cd層 l 最 后 ， 制 備 連 接 電 極 。如 同 印 刷 CdS和 CdTe一 樣 ， 將 碳

23、膏 印 刷 在 已 經(jīng)燒 結(jié) 了 的 CdTe層 上 ， 400 下 N:氣 氛 中 燒 結(jié)30min后 ， 在 CdTe上 形 成 碳 電 極 。 然 后 ， 在 碳電 極 上 印 刷 Ag漿 作 為 引 出 電 極 ， 在 CdS層 上印 刷 柵 狀 摻 In的 Ag漿 ， 并 在 200 下 烘 干 形 成引 出 電 極 。 然 后 利 用 導 電 膠 粘 結(jié) 引 線 ， 得 到 一個 CdS/CdTe太 陽 能 電 池 單 元 。 六 、 電 池 的 發(fā) 展 現(xiàn) 狀 與 趨 勢l 我 國 非 晶 硅 電 池 研 究 在 上 世 紀 80年 代 中 期 形 成了 高 潮 ， 30多 個

24、研 究 組 從 事 研 究 。 實 驗 室 初 始效 率 為 8 10 ；l 80年 代 后 期 哈 爾 濱 和 深 圳 分 別 從 美 國 Chrona公 司 引 進 了 1MW生 產(chǎn) 能 力 的 單 晶 非 晶 硅 生 產(chǎn) 線 ，穩(wěn) 定 效 率 為 3 4 ；l 2000年 后 ， 以 雙 結(jié) 非 晶 硅 電 池 為 重 點 的 硅 基 薄膜 電 池 研 究 列 入 國 家 “ 973”項 目 ， 我 國 非 晶 硅電 池 研 究 又 進 入 了 一 個 新 的 研 究 階 段 。 目 前 初始 實 驗 室 效 率 8 10 ， 穩(wěn) 定 效 率 為 8 左 右 。 六 、 電 池 的 發(fā)

25、展 現(xiàn) 狀 與 趨 勢*化 合 物 半 導 體 薄 膜 電 池 GaAs,CdTe,CuInGaSe等 的 禁 帶 寬 度 在 11.5eV與 太 陽 光 譜 匹 配 較 好 。 同 時 這 些 半 導 體是 直 接 帶 隙 材 料 ， 對 陽 光 的 吸 收 系 數(shù) 大 ， 只 要幾 個 微 米 厚 度 就 能 吸 收 陽 光 的 絕 大 部 分 。 GaAs電 池 主 要 用 于 空 間 ， CdTe和 CIS電 池被 認 為 是 未 來 實 現(xiàn) 低 于 1美 元 目 標 的 典 型 薄 膜電 池 ， 因 此 成 為 最 熱 的 兩 個 研 究 課 題 。 六 、 電 池 的 發(fā) 展 現(xiàn)

26、狀 與 趨 勢（ 1） CdTe電 池 CdTe是 族 化 合 物 ， Eg=1.5eV,理 論 效 率 為28 ， 性 能 穩(wěn) 定 ， 一 直 被 光 伏 界 看 重 。 工 藝 和技 術(shù) ： 近 空 間 升 華 ， 電 沉 積 ， 濺 射 ， 真 空 蒸 發(fā) ，絲 網(wǎng) 印 刷 等 ；實 驗 室 電 池 效 率 16.4商 業(yè) 化 電 池 效 率 平 均 8 10 CdTe電 池 90年 代 實 現(xiàn) 了 規(guī) 模 化 生 產(chǎn) ， 但 市場 份 額 不 是 很 大 。 六 、 電 池 的 發(fā) 展 現(xiàn) 狀 與 趨 勢我 國 CdTe電 池 的 研 究 工 作 開 始 于 80年 代 初l 內(nèi) 蒙

27、古 大 學 蒸 發(fā) 技 術(shù)l 北 京 太 陽 能 研 究 所 電 沉 積 技 術(shù) ， 1983年 效 率 為5.8l 90年 代 后 期 四 川 大 學 近 空 間 升 華 ，“ 十 五 ” 期 間 ， 列 入 國 家 “ 863”重 點 項 目 ， 并 要 求建 立 0.5兆 瓦 /年 的 生 產(chǎn) 線 ； 電 池 效 率 達 到 13.38 六 、 電 池 的 發(fā) 展 現(xiàn) 狀 與 趨 勢(2)CIGS電 池CIGS是 族 化 合 物 半 導 體 ， 帶 隙 為 1.04eV70年 代 中 后 期 波 音 公 司 真 空 蒸 發(fā) ， 電 池 效 率 達到 9 ；80年 代 開 始 ， ARCO

28、 Solar公 司 處 領(lǐng) 先 地 位 ；90年 代 后 期 ， NREL保 持 世 界 記 錄 ， 19.5 六 、 電 池 的 發(fā) 展 現(xiàn) 狀 與 趨 勢我 國 南 開 大 學 、 內(nèi) 蒙 古 大 學 和 云 南 師 范 大 學 等 單 位于 80年 代 中 后 期 先 后 開 展 了 CIS薄 膜 電 池 研 究 ，南 開 大 學 蒸 發(fā) 硒 化 法 電 池 效 率 9.13 。 “ 十 五 ”列 入 “ 863”重 點 項 目 ， 并 要 求 建 立 0.3兆 瓦 /年 的 中試 生 產(chǎn) 線 。 六 、 電 池 的 發(fā) 展 現(xiàn) 狀 與 趨 勢（ 3） 染 料 敏 化 TiO2太 陽 電 池 染 料 敏 化 TiO2太 陽 電 池 實 際 上 是 一 種 光電 化 學 電 池 。 早 期 的 TiO2光 電 化 學 電 池 穩(wěn) 定性 差 、 效 率 低 。 1991年 瑞 士 將 染 料 敏 化 引 入改 種 電 池 ， 效 率 達 到 7.1 ， 成 為 太 陽 電 池 的前 沿 熱 點 之 一 ， 目 前 這 種 電 池 的 實 驗 室 效 率超 過 10 。 （ 4） 有 機 電 池比 利 時 IMEC公 司 開 發(fā) 一 種 塑 料 太 陽 能 電 池 ， 使用 具 有 施 主 和 受 主 性 能 的 有 機 材 料 ， 電 池 效 率5 。 OVER