ZrCl4分子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機(jī)理的理論分析研究畢業(yè)論文

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1、. . . . 科技學(xué)院新科學(xué)院 2012屆本科畢業(yè)論文 論文題目： ZrCl4分子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機(jī)理的理論研究（第2，3個(gè)氯原子） 學(xué)生： 杰 所在院（系）： 化學(xué)工程系 所學(xué)專(zhuān)業(yè)： 化學(xué)工程與工藝 導(dǎo)師： 樹(shù)文 完成時(shí)間： 2012年5月 ZrCl4分

2、子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機(jī)理的理論研究 （第2,3個(gè)氯原子） 摘要 使用密度函數(shù)理論研究了ZrCl4分子在羥化硅表面ALD的薄層中釋放Cl原子的反應(yīng)機(jī)理，對(duì)于脫去四個(gè)氯原子中第2，3個(gè)氯原子，設(shè)計(jì)了四條反應(yīng)途徑。結(jié)果表明，在0K時(shí)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下：R3a是一個(gè)放熱反應(yīng)，R3b是一個(gè)吸熱反應(yīng)，R3a的能壘比R3b低，因此我們得出一個(gè)結(jié)論R3a比R3b反應(yīng)有利。R5a,R5b分別是接著R3a,R3b的水解反應(yīng)產(chǎn)物，可以發(fā)現(xiàn)R5b相對(duì)于R5a有較低的活化能和反應(yīng)熱，因此我們認(rèn)為R5b比R5a反應(yīng)有利。 關(guān)鍵詞：密度函數(shù)理論，ZrCl4，薄膜，原子層沉積

3、 A density functional theory study on the reactions of chlorine loss in ZrCl4thin films by atomic-layer deposition (the second and third chorine loss) Abstract Using density functional theory,the chlorine loss reactions of ZrCl4 thin films of ALD on the hydroxylated silicon surface de

4、position reaction are researched.For the second and third chlorines loss,four possible pathways have been designed.The results show that a standard atmospheric pressure at 0 K: R3a is an exothermic reaction, and the R3b is an endothermic reaction, the reaction energies of R3a is lower than R3b,Compa

5、red to R1a and R2a,R1b and R2b are more favorable.R5a,R5b then R3a,R3b hydrolysis reaction products can be found R5b relative R5a have lower activation energy and the heat of reaction,therefore we think R5b are more favorable than R5a. Keywords: Density functional theory,ZrCl4, Thin film, Atomic

6、layer deposition 15 / 19 目錄 1.緒論1 2.理論基礎(chǔ)與應(yīng)用軟件2 2.1Gaussian軟件2 2.1.1Gaussian基本功能2 2.1.2Gaussian 03計(jì)算原理3 2.2密度泛函理論3 3、實(shí)驗(yàn)部分4 3.1第二個(gè)氯原子消去反應(yīng)過(guò)以水為前體的消除反應(yīng)6 3.2第三個(gè)氯原子消去反應(yīng)過(guò)以水為前體的消除反應(yīng)10 結(jié)論13 參考文獻(xiàn)14 致15 1.緒論 在高介電常數(shù)材料的候選物中，ZrO2具有高的介電常數(shù)，廣泛的能帶間隙，高的熱穩(wěn)定性，是替代二氧化

7、硅的一種很有前景的應(yīng)用材料[1]。在現(xiàn)有的眾多的高介電常數(shù)組合材料的各種制備方法中，原子層沉積(ALD)在精確的厚度控制和在大的區(qū)域均勻形成方面顯示了其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。在原子層沉積中，各種前體被交替帶到位于反應(yīng)釜中的硅表面上，進(jìn)來(lái)的前體和表面的物質(zhì)反應(yīng)是自我終止的。因此，原子薄膜形成的控制可以實(shí)現(xiàn)[2]。 因?yàn)槲覀冎?，知識(shí)以與反應(yīng)機(jī)制的動(dòng)力學(xué)熱力學(xué)數(shù)據(jù)可以幫助優(yōu)化ALD工藝條件。因此，它是重要的探索高K氧化物ALD的成長(zhǎng)的反應(yīng)機(jī)制。 正如我們知道的增長(zhǎng)機(jī)制包括反應(yīng)動(dòng)力學(xué)和熱化學(xué)會(huì)有利于優(yōu)化工藝條件，因此原子沉積理論是研究high-k氧化物薄膜的原子層沉積反應(yīng)的重要方法。近年來(lái)，人們大量的從實(shí)

8、驗(yàn)和理論上研究high-k氧化物薄膜（例如：二氧化鉿[1，2，3，4，5]，二氧化鋯[6，7，8]和三氧化鋁[9,10]）在硅表面上的原子沉積層反應(yīng)。 二氧化鋯薄膜的原子層沉積反應(yīng)被廣泛用作四氯化鋯[6，7，11，12]和四碘化鋯[8,13]的金屬前驅(qū)物，其中的氧源通常是水、過(guò)氧化氫和臭氧[8,13,14]。四氯化鋯被用作金屬前體時(shí)具有諸如氯污染和釋放腐蝕性的鹽酸產(chǎn)品等明顯的缺點(diǎn)。因此在二氧化鋯薄膜的原子沉積反應(yīng)中氯原子的反應(yīng)途徑是十分重要的。實(shí)驗(yàn)[15]表明兩個(gè)氯原子配體在低溫下（如180℃）從四氯化鋯的脈沖中被釋放出來(lái)，剩下的二氯基團(tuán)在水的脈沖表面被釋放出來(lái)。然而，隨著物質(zhì)反應(yīng)溫度的上升

9、，氯原子在四氯化鋯脈沖中的釋放逐漸減少。在400℃時(shí)，只有一個(gè)氯原子配體被釋放出來(lái)，剩余的三個(gè)氯原子在水的脈沖中被釋放出來(lái)。 基于兩種不同的反應(yīng)模式，對(duì)于以四氯化鋯作為沉積金屬前體，水為氧源的，二氧化鋯的沉積，總的來(lái)講四個(gè)氯原子的消去反應(yīng)被劃分為十四種途徑（R1a-R7a and R1b-R7b）來(lái)描述，第一組R1a到R7a二聚體的表面反應(yīng)發(fā)生在自身，R1b到R7b表面反應(yīng)發(fā)生在相鄰的兩個(gè)二聚體。R1a和R1b第一個(gè)氯原子消去反應(yīng)分別發(fā)生在自身的二聚體和相鄰的二聚體。R2a和R2b對(duì)于第二個(gè)氯原子的消去反應(yīng)顯示了兩個(gè)可能的途徑:A、R1a和R1b易于和它鄰近的氫原子發(fā)生反應(yīng)。B、ZrCl4的

10、第二個(gè)氯原子失去也可以在水與其產(chǎn)物的前體R1a和R1b之間,也就是說(shuō),R3a和R3b處完成反應(yīng)。R2a ,R2b,R3a, R3b的產(chǎn)物跟水一起與ZrCl4的第三個(gè)氯反應(yīng)，由于經(jīng)過(guò)第一個(gè)第二個(gè)氯的反應(yīng)之后沒(méi)有足夠的能力和鄰近的參加反應(yīng)的氫氧根反應(yīng)，它們分別通過(guò)R4b R4a,R5a和R5b引入。R6a,R7a和R7b途徑同樣適用于表示第四個(gè)氯分別與前體水和R4b R4a,R5a和R5b的產(chǎn)物的消去反應(yīng)。 2.理論基礎(chǔ)與應(yīng)用軟件 徐光憲院士說(shuō)過(guò)“進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，計(jì)算方法與分子模擬、虛擬實(shí)驗(yàn)、已經(jīng)繼實(shí)驗(yàn)方法、理論方法之后，成為第三個(gè)重要的科學(xué)方法，對(duì)未來(lái)科學(xué)與技術(shù) 的發(fā)展，將起著越來(lái)越重要的

11、作用”。量子化學(xué)方法的軟件包，如：MOPAC、Zindo、Gaussian，Dmol3、和Games、CASTEP等。其中，MOPAC和Zindo基于半經(jīng)驗(yàn)算法，Gaussian和Games基于Hartree-Fock方法，但現(xiàn)在均已加入了密度泛函( DFT) 方法；DMol3和CASTEP是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的基于DFT算法的量子化學(xué)軟件包。 2.1 Gaussian軟件[16] Gaussian是一個(gè)量子化學(xué)軟件包，是目前應(yīng)用最廣泛的計(jì)算化學(xué)軟件之一，其代碼最初由理論化學(xué)家1998年諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)得主約翰、波普爵士編寫(xiě)。Gaussian軟件的出現(xiàn)降低了量子化學(xué)計(jì)算的門(mén)檻，使得從頭計(jì)算方法可以

12、廣泛使用，從而極推動(dòng)了其在方法學(xué)上的進(jìn)展。 Gaussian是應(yīng)用最廣泛的半經(jīng)驗(yàn)計(jì)算和從頭計(jì)算量子化學(xué)軟件?？梢匝芯?的容包括:分子能量和結(jié)構(gòu)，過(guò)渡態(tài)的能量和結(jié)構(gòu)，化學(xué)鍵以與反應(yīng)能量，分子軌道、偶極矩和多極矩、原子電荷和電勢(shì)、振動(dòng)頻率、紅外和拉曼光譜、NMR、化率和超極化率、熱力學(xué)性質(zhì)、反應(yīng)路徑。計(jì)算可以模擬在氣相和溶液中的體系，模擬基態(tài)和激發(fā)態(tài)，對(duì)周期邊界體系進(jìn)行計(jì)算。因?yàn)檫@款軟件在計(jì)算時(shí)占用資源不大，所以通過(guò)引入該軟件解決實(shí)際問(wèn)題來(lái)強(qiáng)化學(xué)生對(duì)《結(jié)構(gòu)化學(xué)》這門(mén)課程重要性的認(rèn)識(shí)。 2.1.1 Gaussian基本功能 (1) 簡(jiǎn)單快速地構(gòu)造分子 可以使用原子，環(huán)，基團(tuán)和氨基酸；從其它程

13、序獲取結(jié)構(gòu)；對(duì)PDB文件自動(dòng)加氫；用鼠標(biāo)檢查和修改結(jié)構(gòu)參數(shù)；放大和縮小功能；平滑地三維旋轉(zhuǎn)，即使是對(duì)大分子；四種顯示模式：線(xiàn)形，管型，球棍，以與連接球。 (2) 設(shè)置Gaussian的計(jì)算 支持Gaussian的全部主要計(jì)算功能；自動(dòng)確定電荷和自旋多重度；定義任務(wù)類(lèi)型和化學(xué)模型；簡(jiǎn)單設(shè)置ONIOM計(jì)算；自動(dòng)設(shè)置適當(dāng)?shù)腖ink 0命令；隨時(shí)監(jiān)測(cè)計(jì)算。 (3) 顯示Gaussian的計(jì)算結(jié)果 優(yōu)化的結(jié)構(gòu)；分子軌道；振動(dòng)頻率的簡(jiǎn)正模式；原子電荷；電子密度曲面；靜電勢(shì)曲面；NMR屏蔽密度；曲面可以用實(shí)面，半透明和網(wǎng)格形式顯示；曲面可以按照不同的特性著色。 (4) 創(chuàng)建三維分子模型 根據(jù)需要

14、顯示或隱藏構(gòu)造面板；允許自定義分子片斷庫(kù)；校正分子的方向；按照對(duì)稱(chēng)性限制分子的結(jié)構(gòu)；對(duì)一維、二維和三維周期體系的計(jì)算，根據(jù)空間群創(chuàng)建結(jié)構(gòu)單元。 2.1.2 Gaussian 03計(jì)算原理 分子力學(xué)方法為：很多情況下，對(duì)大分子體系的處理可以完全避免使用量子化學(xué)計(jì)算。分子力學(xué)模擬使用經(jīng)典力學(xué)模型（例如諧振子）描述化合物的能量。分子力學(xué)模型的所有常數(shù)均通過(guò)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)或第一原理計(jì)算結(jié)果得到。參數(shù)和方程的優(yōu)化結(jié)果稱(chēng)為分子力場(chǎng)。 電子結(jié)構(gòu)理論方法為：電子結(jié)構(gòu)可以通過(guò)求解定態(tài)薛定諤方程（也成為不含時(shí)薛定諤方程）得到。求解過(guò)程常使用原子軌道線(xiàn)性組合(LCAO)得到的基組來(lái)進(jìn)行近似。通過(guò)這種近似，薛定諤方程

15、可以轉(zhuǎn)化為一個(gè)“簡(jiǎn)單”的電子哈密頓量的本征值方程。該方程的解為離散集。解得的本征值是分子結(jié)構(gòu)的函數(shù)。這種對(duì)應(yīng)關(guān)系稱(chēng)為勢(shì)能面。 第一原理電子結(jié)構(gòu)方法的?？煞譃椋篐artree-Fock方程；多體微擾理論；多組態(tài)自洽場(chǎng)理論 (MCSCF) ；組態(tài)相互作用方法 (CI) ；多組態(tài)相互作用 (MRCI) ；耦合簇理論 (Coupled Cluster) ；二次組態(tài)相互作用 (QCI) ；量子蒙特卡羅 ；密度泛函理論 ；廣義價(jià)鍵理論 (GVB) ；現(xiàn)代價(jià)鍵理論。 2.2密度泛函理論 密度泛函理論可以是笛卡爾高斯函數(shù)或角動(dòng)量函數(shù)多種基組存儲(chǔ)于程序中，通過(guò)名稱(chēng)調(diào)用。即可對(duì)任何一般的收縮Gaussian

16、函數(shù)進(jìn)行單電子和雙電子積分。這些基函數(shù)分可儲(chǔ)存在存，外接存儲(chǔ)器上，或用到時(shí)重新計(jì)算對(duì)于某些類(lèi)型的計(jì)算，計(jì)算的花費(fèi)可以使用快速多極方法(FMM)和稀疏矩陣技術(shù)線(xiàn)性化。將原子軌道(AO)積分轉(zhuǎn)換成分子軌道的計(jì)算，可用的方法有in-core（將AO積分全部存在存里），直接（不需儲(chǔ)存積分），半直接（儲(chǔ)存部分積分），和傳統(tǒng)方法（所有AO積分儲(chǔ)存在硬盤(pán)上）。 從20實(shí)際60年代密度函數(shù)理論（DFT）提出，并在局域密度近似（LDA）導(dǎo)出著名的Kohn－Sham方程以來(lái)，DFT已經(jīng)成為凝聚態(tài)物理領(lǐng)域電子結(jié)構(gòu)計(jì)算的有力工具，最近幾年，密度泛函方法(Density Functional Theory Metho

17、ds，DFT)得到了廣泛的應(yīng)用。 密度泛函理論最初來(lái)源于對(duì)下面這個(gè)問(wèn)題的考慮：在量子化學(xué)從頭算中,對(duì)于一個(gè)N電子體系,N電子波函數(shù)依賴(lài)于3N個(gè)空間變量與N個(gè)自旋變量共4N個(gè)變量,我們是否能用其它相對(duì)簡(jiǎn)單的變量來(lái)替換這4N個(gè)變量以達(dá)到簡(jiǎn)化計(jì)算的目的,如用體系的電子密度?因?yàn)?對(duì)于波函數(shù)計(jì)算上無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)定,而電子密度卻可以,電子密度同波函數(shù)模的平方相聯(lián)系。另一方面,對(duì)于依賴(lài)4N個(gè)變量的波函數(shù),將隨著體系變大電子數(shù)增多使計(jì)算變得越來(lái)越困難,而體系的哈密頓只不過(guò)由單電子和雙電子算符組成,同時(shí)只跟體系中的單個(gè)電子和雙電子的信息有關(guān),因此波函數(shù)中4N個(gè)變量已經(jīng)包含了多余的信息,對(duì)我們的計(jì)算目的而言。因此

18、,以電子密度為變量,用Thomas-Fermi模型作了最初的嘗試,將能量表示為密度的泛函,這里有個(gè)問(wèn)題要注意的是：泛函和復(fù)合函數(shù)的區(qū)別。TFM雖然是一個(gè)很粗糙的模型,但是它的意義非常重要,因?yàn)樗鼘㈦娮觿?dòng)能第一次明確地以電子密度形式表示至此,說(shuō)簡(jiǎn)單些,密度泛函方法就是以體系的電子密度為變量的方法。 密度泛函（DFT）是量化計(jì)算中非常常用的方法。它通過(guò)泛函來(lái)計(jì)算電子相關(guān)，其將電子能量分為幾個(gè)部分，動(dòng)能，電子-核相互作用，庫(kù)侖排斥，以與其余部分的交換相關(guān)項(xiàng)，最后一部分又根據(jù)密度泛函方法分解為交換和相關(guān)項(xiàng)。DFT方法考慮了電子相關(guān)，而且算起來(lái)也快，所以很多人喜歡用，其中又以B3LYP最為常用，所以清

19、楚每種方法的優(yōu)劣和適用圍有利于我們對(duì)問(wèn)題的理解。 梯度修正泛函(Gradient-corrected functionals)包含了電子自旋密度和其梯度，其中的一些泛函也被稱(chēng)為非局域泛函。最普遍應(yīng)用的梯度修正交換泛函是1988年Becke提出的泛函，最廣泛應(yīng)用的梯度修正相關(guān)泛函是Lee，Yang，Parr提出的LYP泛函。這兩個(gè)方法的結(jié)合，就是Gaussian中的BLYP方法。Perdew也提出了重要的泛函，如Perdew86和perdew-Wang 91混合泛函?；旌戏汉瘜⒔粨Q泛函定義為Hartree-Fock局域，和梯度修正交換項(xiàng)的線(xiàn)性組合，這樣得到的泛函就是局域和非局域泛函的組合，Ga

20、ussian提供的最有名的方法是B3LYP和B3PW91。B3LYP與其它泛函相比，對(duì)分子基態(tài)得到的特性一般相差不大，所以B3LYP很常用。 3、實(shí)驗(yàn)部分 計(jì)算方法和模型 在以前的研究中[17]基于定域鍵的主要特點(diǎn)，Si9H12二聚體被經(jīng)常用于模擬Si(100)-2×1表面。在本實(shí)驗(yàn)中，更大的Si23H24二聚體被用來(lái)降低團(tuán)簇效應(yīng)。Si23H24二聚體由四層硅原子組成，頂部的四個(gè)硅原子組成表面二聚物。剩下的硅原子構(gòu)成了三個(gè)被氫原子終止的表面下層，防止過(guò)多的電荷轉(zhuǎn)移。Si23H24-(OH)4的四個(gè)羥基將被用作表面活性位點(diǎn)。這些模型的結(jié)構(gòu)將在所有計(jì)算中得以完全優(yōu)化。 本文所有的計(jì)算都是基

21、于Gaussian03軟件在 B3LYP[18-19]下完成。因?yàn)閳F(tuán)簇相當(dāng)大，因此在本實(shí)驗(yàn)中根據(jù)混合基組方案用來(lái)減少計(jì)算時(shí)間。對(duì)Cl、O、H原子使用6-31+G(d)基組。在每一個(gè)計(jì)算中，LANL2DZ基組和有效的核心勢(shì)能都用來(lái)描述鋯原子和硅原子。通過(guò)幾何優(yōu)化(OPT)和頻率分析(TS)來(lái)確定它在自然狀態(tài)下幾何構(gòu)型，包括能量最小值，過(guò)渡態(tài)和獲得能量的駐點(diǎn)。本文中所有的能量都已經(jīng)被闡述，包括修正的零勢(shì)能點(diǎn)。 圖1 ZrCl4在Si二聚體表面的反應(yīng)（水解消去第二、三個(gè)氯原子） 3.1第二個(gè)氯原子消去反應(yīng)過(guò)以水為前體的消除反應(yīng) 圖2 ZrCl4水解消去第二個(gè)氯的兩種途徑 對(duì)于HCl通

22、過(guò)水中羥基的消除反應(yīng)，其兩個(gè)路徑（R3a 和R3b）的勢(shì)能如圖所示2 在R3a和R3b途徑中水作為前體與三氯化鋯的化學(xué)吸附釋放能量分別是64.4和59.7KJ/mol。這里的化學(xué)吸附是由于水中氧原子在鋯原子的空軌道上提供的孤對(duì)電子。然后，兩種途徑形成第四個(gè)過(guò)渡態(tài)如圖2，R3b的能壘是69.8KJ/mol,比R3a高3.2KJ/mol。最終，反應(yīng)經(jīng)過(guò)一個(gè)物理吸附形成一個(gè)產(chǎn)物。從圖2可以看出R3a是一個(gè)放熱反應(yīng)，R3b是一個(gè)吸熱反應(yīng)。因此我們得出一個(gè)結(jié)論R3a比R3b反應(yīng)有利。 在R3a和R3b中都可以發(fā)現(xiàn)物理吸附，應(yīng)當(dāng)指出的是，與氫原子的相互粘結(jié)的羥基來(lái)自不同的R1a/R1b,R2a/R2b

23、,R3a/R3b導(dǎo)致HCl發(fā)生物理吸附。圖中顯示R1a/R1b和R2a/R2b以與新形成的R3a/R3b的鋯羥基。 相應(yīng)的優(yōu)化結(jié)構(gòu)如圖3： P(R1a) P(R1b) TS(R3a) TS(R3b) P(R3a) P(R3b) 圖3 3.2第三個(gè)氯原子消去反應(yīng)過(guò)以水為前體的消除反應(yīng) 圖4 ZrCl4水解消去第三個(gè)氯的兩種途徑 對(duì)于HCl通過(guò)水中羥基的消除反應(yīng)，其兩個(gè)路徑（R5a 和R5b）的勢(shì)能如圖所示4有兩種類(lèi)型的產(chǎn)物，即Si-O2-ZrCl4和Si（OH）-O-ZrCl2OH,在第二個(gè)氯失去的反應(yīng)中形成（R3a/R3b）。形成的ZrCl

24、2團(tuán)體只會(huì)與水前體反應(yīng)因?yàn)闆](méi)有更多的鄰近表面的有能力與氯原子反應(yīng)的羥基。R5a,R5b分別是R3a,R3b在水的作用下的反應(yīng)產(chǎn)物。 在表4中顯示了這些途徑的相應(yīng)能量，R5b產(chǎn)生HCl的能壘相對(duì)于吸附狀態(tài)是48.6KJ/mol,比R5a低32.1KJ/mol。R5a,R5b都是吸熱反應(yīng)它們所需要的能量分別是52.0和14.1KJ/mol?？梢园l(fā)現(xiàn)R5b相對(duì)于R5a有較低的能壘和反應(yīng)熱，因此，我們認(rèn)為在高溫下R5b更有利于第三個(gè)氯原子消去。在0K時(shí)R5a比R5b途徑更有利。 相應(yīng)的優(yōu)化結(jié)構(gòu)如圖5： TS(R5a) TS(R5b) P(R5a) P(R5b) 圖5 結(jié)

25、論 本文通過(guò)運(yùn)用Gaussian 03軟件構(gòu)建分子結(jié)構(gòu)，使用 DFT/B3LYP/6-31G方法對(duì)這些化合物的幾何構(gòu)型進(jìn)行優(yōu)化，并進(jìn)行駐點(diǎn)(分子和反應(yīng)勢(shì)能面上的極小點(diǎn)和鞍點(diǎn))的優(yōu)化和性質(zhì)計(jì)算，來(lái)研究ZrCl4分子層在羥化硅表面消去氯原子反應(yīng)機(jī)理。對(duì)于四氯化鋯作為沉積金屬前體的二氧化鋯沉積的反應(yīng)過(guò)程，總的來(lái)講四個(gè)氯原子的消去反應(yīng)被劃分為14種途徑，本文研究其中的四種（R3a、R3b 和 R5a、R5b）來(lái)描述與分析。結(jié)果表明在0K時(shí)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下：R3a是一個(gè)放熱反應(yīng)，R3b是一個(gè)吸熱反應(yīng)，R3a的能壘比R3b低，因此我們得出一個(gè)結(jié)論R3a比R3b反應(yīng)有利。R5a,R5b分別是接著R3a,R

26、3b的水解反應(yīng)產(chǎn)物，可以發(fā)現(xiàn)R5b相對(duì)于R5a有較低的活化能和反應(yīng)熱，因此我們認(rèn)為R5b比R5a反應(yīng)有利。 參考文獻(xiàn) [1]G.D.Wilk,R.M Wallace,J.M.Anthony,J.Appl.Phys.89(2001) 5243. [2] M. Ritala,M.Leskela,in:H.S.Nalwa (Ed.),Handbook of Thin Film Materials,Vol.1,Academic Press, San Diego,2002,p.103. [3] M. Guto

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32、 聯(lián)系：igors2003163. 致 該論文能如期順利地完成完全得益于來(lái)自各方面的幫助和支持。 首先感我的指導(dǎo)老師樹(shù)文老師，老師不僅學(xué)識(shí)淵博、治學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)，而且做人達(dá)觀(guān)、為人謙和。他嚴(yán)謹(jǐn)細(xì)致、一絲不茍的作風(fēng)一直是我工作、學(xué)習(xí)中的榜樣。老師循循善誘的教導(dǎo)和認(rèn)真嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)研究態(tài)度讓我銘記在心。在論文的選題、研究和撰寫(xiě)中，老師給了我充分的指導(dǎo)。老師的指導(dǎo)認(rèn)真細(xì)致，讓我如沐春風(fēng)。老師既是我的良師，也是我的益友，老師的這些優(yōu)秀品質(zhì)會(huì)一直激勵(lì)著我前進(jìn)，使我在以后的學(xué)習(xí)和工作中取得更大的進(jìn)步！在此對(duì)老師的指導(dǎo)和幫助表示我最真摯的感。 另外，還要感大學(xué)里所有傳授我知識(shí)的老師，是你們豐富的知識(shí)和精彩的授課，拓寬了我的視野，也使我提高了自己的能力，并最終能更順利地完成這篇文章，也是你們教會(huì)了我為人處世的道理，讓我更加堅(jiān)強(qiáng)和自信。在此，我也表示我最真摯的感。 最后，也要感我可愛(ài)的同學(xué)們，因?yàn)槟銈?，我的大學(xué)生活才這樣豐富和精彩，感你們的鼓勵(lì)和支持，此次畢業(yè)設(shè)計(jì)才會(huì)得以順利完成。在此，我深表感！ 感各位老師的指導(dǎo)，感各位同學(xué)的幫助，感所有給與我?guī)椭椭С值娜?。?