（通用版）2022高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 跟蹤檢測（六十六）教材基礎(chǔ)（4）晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（含解析）

（通用版）2022高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 跟蹤檢測（六十六）教材基礎(chǔ)（4）晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（含解析）1下列晶體分類中正確的一組是()選項(xiàng)離子晶體原子晶體分子晶體ANaOHArSO2BH2SO4石墨SCCH3COONa水晶DBa(OH)2金剛石玻璃解析：選CA項(xiàng)中固態(tài)Ar為分子晶體；B項(xiàng)中H2SO4為分子晶體，石墨是混合型晶體；D項(xiàng)中玻璃是非晶體。2下列各組晶體物質(zhì)中，化學(xué)鍵類型相同，晶體類型也相同的是()SiO2和SO3晶體硼和HClCO2和SO2晶體硅和金剛石晶體氖和晶體氮硫黃和碘ABC D解析：選C屬于分子晶體的有SO3、HCl、CO2、SO2、晶體氖、晶體氮、硫黃、碘，屬于原子晶體的有SiO2、晶體硼、晶體硅、金剛石，但晶體氖中不存在化學(xué)鍵。3氮氧化鋁(AlON)屬原子晶體，是一種超強(qiáng)透明材料，下列描述錯(cuò)誤的是()AAlON和石英的化學(xué)鍵類型相同BAlON和石英晶體類型相同CAlON和Al2O3的化學(xué)鍵類型不同DAlON和Al2O3晶體類型相同解析：選DAlON與石英(SiO2)均為原子晶體，所含化學(xué)鍵均為共價(jià)鍵，故A、B項(xiàng)正確；Al2O3是離子晶體，晶體中含離子鍵，不含共價(jià)鍵，故C項(xiàng)正確、D項(xiàng)錯(cuò)誤。4下列說法中正確的是()A離子晶體中每個(gè)離子周圍均吸引著6個(gè)帶相反電荷的離子B金屬導(dǎo)電的原因是在外電場作用下金屬產(chǎn)生自由電子，電子定向運(yùn)動(dòng)C分子晶體的熔、沸點(diǎn)很低，常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)D原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相結(jié)合解析：選DA項(xiàng)，離子晶體中每個(gè)離子周圍不一定吸引6個(gè)帶相反電荷的離子，如CsCl晶體中，每個(gè)Cs吸引8個(gè)Cl；B項(xiàng)，金屬晶體中的自由電子不是因?yàn)橥怆妶鲎饔卯a(chǎn)生的；C項(xiàng)，分子晶體在常溫下不一定是液態(tài)或氣態(tài)，可能為固態(tài)，如I2、S8等。5下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序中，正確的是()A金剛石晶體硅二氧化硅碳化硅BCMgOH2OO2Br2D金剛石生鐵純鐵鈉解析：選BA項(xiàng)，同屬于原子晶體，熔、沸點(diǎn)高低由共價(jià)鍵的強(qiáng)弱即鍵能大小決定，鍵能由小到大也是熔、沸點(diǎn)由低到高的順序?yàn)榫w硅碳化硅二氧化硅<金剛石，錯(cuò)誤；B項(xiàng)，形成分子間氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高于形成分子內(nèi)氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)，正確；C項(xiàng)，熔、沸點(diǎn)高低順序?yàn)镸gOH2OBr2O2，錯(cuò)誤；D項(xiàng)，生鐵為鐵合金，熔點(diǎn)低于純鐵，錯(cuò)誤。6下列數(shù)據(jù)是對應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)()：BCl3Al2O3Na2ONaClAlF3AlCl3干冰SiO21072 0739208011 291190571 723據(jù)此做出的下列判斷中錯(cuò)誤的是()A鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體B表中只有BCl3和干冰是分子晶體C同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體D不同族元素的氧化物可形成相同類型的晶體解析：選BA項(xiàng)，氧化鋁的熔點(diǎn)高，屬于離子晶體，則鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體，正確；B項(xiàng)，表中BCl3、AlCl3和干冰均是分子晶體，錯(cuò)誤；C項(xiàng)，同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體，如CO2是分子晶體，SiO2是原子晶體，正確。7下列關(guān)于CaF2的表述正確的是()ACa2與F間僅存在靜電吸引作用BF的離子半徑小于Cl，則CaF2的熔點(diǎn)低于CaCl2C陰、陽離子數(shù)之比為21的物質(zhì)，均與CaF2晶體構(gòu)型相同DCaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵，因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電解析：選DCa2與F之間既有靜電吸引作用，也有靜電排斥作用，A錯(cuò)誤；離子所帶電荷相同，F(xiàn)的離子半徑小于Cl，所以CaF2晶體的晶格能大，熔點(diǎn)高，B錯(cuò)誤；晶體構(gòu)型還與離子半徑的相對大小有關(guān)，所以陰、陽離子數(shù)之比為21的物質(zhì)，不一定與CaF2晶體構(gòu)型相同，C錯(cuò)誤；CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵，在熔融狀態(tài)下發(fā)生電離，因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電，D正確。8有一種藍(lán)色晶體可表示為MxFey(CN)6，經(jīng)X­射線研究發(fā)現(xiàn)，它的結(jié)構(gòu)特征是Fe3和Fe2互相占據(jù)立方體互不相鄰的頂點(diǎn)，而CN位于立方體的棱上。其晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示。下列說法不正確的是()A該晶體的化學(xué)式為MFe2(CN)6B該晶體屬于離子晶體，M呈1價(jià)C該晶體屬于離子晶體，M呈2價(jià)D晶體中與每個(gè)Fe3距離最近且等距離的CN為6個(gè)解析：選C由題圖可推出晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元中含F(xiàn)e2個(gè)數(shù)：4×，含F(xiàn)e3個(gè)數(shù)：4×，含CN個(gè)數(shù)：12×3，因此陰離子為Fe2(CN)6，則該晶體的化學(xué)式只能為MFe2(CN)6，由陰、陽離子形成的晶體為離子晶體，M的化合價(jià)為1價(jià)，故A、B兩項(xiàng)正確，C項(xiàng)錯(cuò)誤。由圖可看出與每個(gè)Fe3距離最近且等距離的CN為6個(gè)，故D項(xiàng)正確。9(1)鈉、鉀、鉻、鉬、鎢等金屬晶體的晶胞屬于體心立方，則該晶胞中屬于1個(gè)體心立方晶胞的金屬原子數(shù)目是_。氯化銫晶體的晶胞如圖1，則Cs位于該晶胞的_，而Cl位于該晶胞的_，Cs的配位數(shù)是_。(2)銅的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，寫出此氫化物在氯氣中燃燒的化學(xué)方程式：_。(3)圖3為F與Mg2、K形成的某種離子晶體的晶胞，其中“”表示的離子是_(填離子符號)。(4)實(shí)驗(yàn)證明：KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖4所示)，已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表：離子晶體NaClKClCaO晶格能/(kJ·mol1)7867153 401則這4種離子晶體(不包括NaCl)熔點(diǎn)從高到低的順序是_。其中MgO晶體中一個(gè)Mg2周圍和它最鄰近且等距離的Mg2有_個(gè)。解析：(1)體心立方晶胞中，1個(gè)原子位于體心，8個(gè)原子位于立方體的頂點(diǎn)，故1個(gè)晶胞中金屬原子數(shù)為8×12；氯化銫晶胞中，Cs位于體心，Cl位于頂點(diǎn)，Cs的配位數(shù)為8。(2)由晶胞可知，粒子個(gè)數(shù)比為11，化學(xué)式為CuH，CuH與Cl2反應(yīng)，產(chǎn)物為CuCl2和HCl，化學(xué)方程式為2CuH3Cl22CuCl22HCl。(3)由晶胞結(jié)構(gòu)可知，黑球有1個(gè)，灰球有1個(gè)，白球有3個(gè)，由電荷守恒可知n(Mg2)n(K)n(F)113，故白球?yàn)镕。(4)從3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)知道，離子所帶電荷越多、離子半徑越小，離子晶體的晶格能越大，離子所帶電荷數(shù)：Ti3>Mg2，離子半徑：Mg2Ca2，所以熔點(diǎn)：TiN>MgO>CaO>KCl；MgO晶體中一個(gè)Mg2周圍和它最鄰近且等距離的Mg2有12個(gè)。答案：(1)2體心頂點(diǎn)8(2)2CuH3Cl22CuCl22HCl(3)F(4)TiN>MgO>CaO>KCl1210(2017·海南高考)A族元素及其化合物在材料等方面有重要用途?；卮鹣铝袉栴}：(1)碳的一種單質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖(a)所示。該單質(zhì)的晶體類型為_，原子間存在的共價(jià)鍵類型有_，碳原子的雜化軌道類型為_。(2)SiCl4分子的中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為_，分子的立體構(gòu)型為_，屬于_分子(填“極性”或“非極性”)。(3)四鹵化硅SiX4的沸點(diǎn)和二鹵化鉛PbX2的熔點(diǎn)如圖(b)所示。SiX4的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高的原因是_。結(jié)合SiX4的沸點(diǎn)和PbX2的熔點(diǎn)的變化規(guī)律，可推斷：依F、Cl、Br、I次序，PbX2中的化學(xué)鍵的離子性_、共價(jià)性_。(填“增強(qiáng)”“不變”或“減弱”)解析：(1)該單質(zhì)為石墨，石墨屬于混合型晶體，層內(nèi)碳原子之間形成鍵和鍵；石墨中碳原子有3個(gè)鍵，無孤電子對，因此雜化類型為sp2；(2)SiCl4中心原子是Si，有4個(gè)鍵，孤電子對數(shù)為0，價(jià)層電子對數(shù)為4，空間構(gòu)型為正四面體；屬于非極性分子；(3)SiX4屬于分子晶體，不含分子間氫鍵，范德華力越大，熔沸點(diǎn)越高，范德華力隨著相對分子質(zhì)量的增大而增大，即熔沸點(diǎn)增高；同主族從上到下非金屬性減弱，得電子能力減弱，因此PbX2中化學(xué)鍵的離子性減弱，共價(jià)性增強(qiáng)。答案：(1)混合型晶體鍵、鍵sp2(2)4正四面體非極性(3)均為分子晶體，范德華力隨相對分子質(zhì)量增大而增大減弱增強(qiáng)