2013年高考物理 臨考沖刺模擬五
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1、2013年高考物理臨考沖刺模擬五 1.第29屆奧運(yùn)會將于今年8月在北京舉行,跳水比賽是我國的傳統(tǒng)優(yōu)勢項目.某運(yùn)動員正在進(jìn)行10m跳臺訓(xùn)練,下列說法正確的是 A.為了研究運(yùn)動員的技術(shù)動作,可將正在比賽的運(yùn)動員視為質(zhì)點 B.運(yùn)動員在下落過程中,感覺水面在勻速上升 C.前一半時間內(nèi)位移大,后一半時間內(nèi)位移小 D.前一半位移用的時間長,后一半位移用的時間短 2.下列敘述正確的是: A.太陽輻射的能量主要來自太陽內(nèi)部的核聚變反應(yīng) B.光電效應(yīng)現(xiàn)象表明光具有波動性 A V L R E r S C P C.貝克勒爾
2、發(fā)現(xiàn)了鈾和含鈾礦物的天然放射現(xiàn)象 D.普朗克在研究黑體的熱輻射問題時提出了能量子假說 3.如圖所示的電路,閉合開關(guān)S,滑動變阻器滑片P向左移 動, 下 列結(jié)論正確的是 A.電流表讀數(shù)變小,電壓表讀數(shù)變大 B.小電泡L變亮 C.電容器C上電荷量減小 D.電源的總功率變大 4.小球自由落下,在與地面發(fā)生碰撞的瞬間,反彈速度與落地速度大小相等。若從釋放時開始計時,不計小球與地面發(fā)生碰撞的時間及空氣阻力。則下圖中能正確描述小球各物理量與時間的關(guān)系是 動能 時間 0 時間 0 位移 時間 0 重力勢能 時間
3、0 速度 A B C D · · · · · · · E +Q d c a b f e o 5.如圖所示勻強(qiáng)電場E的區(qū)域內(nèi)
4、,在O點處放置一點電荷+Q,a、b、c、d、e、f為以O(shè)點為球心的球面上的點,aecf平面與電場平行,bedf平面與電場垂直,則下列說法中正確的是 A.b、d兩點的電場強(qiáng)度相同 B.a(chǎn)點的電勢等于f點的電勢 C.點電荷+q在球面上任意兩點之間移動時,電場力 一定做功 F L D.將點電荷+q在球面上任意兩點之間移動,從球面上 a 點移動到c點的電勢能變化量一定最大 6.如圖所示,質(zhì)量m=1kg、長L=0.8m的均勻矩形薄板靜止在水平桌面 上,其右端與桌子邊緣相平.板與桌面間的動摩擦因數(shù)為μ=0.4.現(xiàn) 用F=5N的水平力向右推薄板,使它翻下桌子,力F做的功至少為 (g取
5、10m/s2) A.1J B.1.6J C.2J D.4J 7.某制藥廠的污水處理站的管道中安裝了如圖所示的流量計,該裝置由絕緣材料制成,長、寬、高分別為a、b、c,左右兩端開口,在垂直于上下底面方向加磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,在前后兩個面的內(nèi)側(cè)固定有金屬板作為電極,當(dāng)含有大量正負(fù)離子(其重力不計)的污水充滿管口從左向右流經(jīng)該裝置時,利用電壓表所顯示的兩個電極間的電壓U,就可測出污水流量Q(單位時間內(nèi)流出的污水體積).則下列說法正確的是 A.后表面的電勢一定高于前表面的電勢,與正負(fù)哪種離子多少無關(guān) B.若污水中正負(fù)離子數(shù)相同,則前后表面的電勢差為零 C.流量Q越大,兩
6、個電極間的電壓U越大 D.污水中離子數(shù)越多,兩個電極間的電壓U越大 8.如圖所示,一個金屬薄圓盤水平放置在豎直向上的勻強(qiáng)磁場中,下 列做法中能使圓盤中產(chǎn)生感應(yīng)電流的是 A.圓盤繞過圓心的豎直軸勻速轉(zhuǎn)動 B.圓盤以某一水平直徑為軸勻速轉(zhuǎn)動 C.圓盤在磁場中向右勻速平移 D.勻強(qiáng)磁場均勻增加 A B C h R 地球 9.如圖所示,從地面上A點發(fā)射一枚遠(yuǎn)程彈道導(dǎo)彈,在引力作用下, 沿ACB橢圓軌道飛行擊中地面目標(biāo)B,C為軌道的遠(yuǎn)地點,距地面高 度為h.已知地球半徑為R,地球質(zhì)量為M,引力常量為G.設(shè)距地 高度為h的圓軌道上衛(wèi)星運(yùn)動周期為T0.下列結(jié)論正確的是
7、A.導(dǎo)彈在C點的速度大于 B.導(dǎo)彈在C點的加速度等于 C.地球球心為導(dǎo)彈橢圓軌道的一個焦點 D.導(dǎo)彈從A點運(yùn)動到B點的時間一定小于T0 10如圖所示,一網(wǎng)球運(yùn)動員將球在邊界處正上方水平向右擊出,球剛好過網(wǎng)落在圖中位置(不計空氣阻力),相關(guān)數(shù)據(jù)如圖,下列說法中正確的是 A.擊球點高度h1與球網(wǎng)高度h2之間的關(guān)系為h1 =1.8h2 B.若保持擊球高度不變,球的初速度只要不大于,一定落在對方界內(nèi) C.任意降低擊球高度(仍大于),只要擊球初速度合適,球一定能落在對方界內(nèi) D.任意增加擊球高度,只要擊球初速度合適,球一定能落在對方界內(nèi) a b B M
8、 N P Q R L C 11.如圖所示,MN和PQ為處于同一水平面內(nèi)的兩根平行的光滑金屬導(dǎo)軌,導(dǎo)軌的電阻不計.垂直導(dǎo)軌放置一根電阻不變的金屬棒ab,金屬棒與導(dǎo)軌接觸良好.N、Q端接理想變壓器的原線圈,理想變壓器的輸出端有三組副線圈,分別接電阻元件R、電感元件L(電阻不為零)和電容元件C.在水平金屬導(dǎo)軌之間加豎直向下的磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時間均勻增加的勻強(qiáng)磁場,若用IR、IL、Ic分別表示通過R、L和C的電流,則下列判斷正確的是 A.若ab棒靜止,則IR=0、IL=0、IC=0 B.在ab棒向左勻速運(yùn)動過程中, IR≠0、IL≠0、IC≠0 C.在ab棒向左勻速運(yùn)動過程中, IR≠
9、0、IL≠0、IC=0 D.在ab棒向左勻加速運(yùn)動過程中,則IR≠0、IL≠0、IC=0 12.利用氦-3()和氘進(jìn)行的聚變安全無污染,容易控 制。月球上有大量的氦-3,每個航天大國都將獲取氦-3作為開發(fā)月球的重要目標(biāo)之一?!版隙鹨惶枴碧皆滦l(wèi)星執(zhí)行的一項重要任務(wù)就是評估月壤中氦-3的分布和儲量。已知兩個氘核聚變生成一個氦-3和一個中子的核反應(yīng)方程是:2H→He+n+3.26 MeV 若有2g氘全部發(fā)生聚變,則釋放的能量是(NA為阿伏加德羅常數(shù)) A、0.5×3.26 MeV B、3.26 MeV C、0.5NA×3.26 MeV D、NA×3.26 M
10、eV 第二部分 非選擇題(共102分) 二、本題共8小題,滿分102分。其中13、14題為選做題,考生只能選其中一題作答。要按題目要求做答。解答題應(yīng)寫出必要的文字說明、方程式和重要演算步驟。只寫出最后答案的不能得分。有數(shù)值計算的題,答案中必須明確寫出數(shù)值和單位。 13.(供選修3-3考生作答,11分) (1)(5分)以下是有關(guān)熱學(xué)內(nèi)容的若干敘述: A.布朗運(yùn)動雖然不是液體分子的運(yùn)動,但是它可以說明分子在永不停息地做無規(guī)則運(yùn)動 B.給自行車輪胎打氣,越來越費(fèi)力,主要是由于打氣過程中分子間斥力逐漸增大,引力逐漸減小的緣故 C.系統(tǒng)的熵只能增大或不變,不可能減小 D.通常情況下,一
11、定質(zhì)量的理想氣體在等溫膨脹的過程中,既不吸熱,也不放熱 E.非晶體的結(jié)構(gòu)跟液體非常類似,可以看作是粘滯性極大的液體 F.所有的金屬在常溫下都呈固態(tài) G.液體表面層的分子比液體內(nèi)部的分子有更大的分子勢能 H.由熱力學(xué)第二定律可以判斷物理過程能否自發(fā)進(jìn)行 其中正確的是 _____(選填字母代號). (2)(6分)如圖所示,彈簧一端固定于水平臺面上,另一端與質(zhì)量為m活塞拴接 在一起,開口向下.質(zhì)量為M的氣缸與活塞一起封閉了一定質(zhì)量的氣體。 氣缸和活塞均可與外界進(jìn)行熱交換。由于外界環(huán)境的溫度緩慢降低,被封 閉氣體向外界釋放熱量Q,同時其內(nèi)能減少ΔU。已知大氣壓強(qiáng)為p0,氣
12、缸的橫截面積為S,氣缸壁厚忽略不計,重力加速度為g 。則 ①被封氣體的體積V 。(填“增大”.“減小”.“不變”) ②活塞移動距離x為 ??;氣缸移動距離y為 。 14.Ⅰ選修3-4模塊,本題共11分. (1)(5分)下列說法中正確的是 ( ) A.簡諧波沿長繩傳播,繩上相距半個波長的兩個質(zhì)點振動位移的大小相等 B.機(jī)械波和電磁波一樣從空氣進(jìn)入水中波長變短 C.某同學(xué)在做“用單擺測定重力加速度”的實驗,開始計時時,秒表提前按下。 D.在波的干涉中,振動加強(qiáng)的點一定處在波峰或波谷的疊加處 E.全息照片的拍攝利用了光的衍射原理 F.振蕩電
13、場和振蕩磁場交替產(chǎn)生,相互依存,形成不可分離的統(tǒng)一體,即電磁場。 G.除了從光源直接發(fā)出的光以外,我們通??吹降慕^大部分 光都是偏振光。 H.太陽輻射的能量大部分集中在可見光及附近的區(qū)域 (2)(6分) 如圖所示,己知平行玻璃磚的折射率,厚度為.入射光線以入射角60°射到玻璃磚的上表面,經(jīng)玻璃磚折射從下表面射出,出射光線與入射光線平行,求兩平行光線間距離.(結(jié)果可用根式表示) 15.(12分)某同學(xué)利用透明直尺和 光電計時器來驗證機(jī)械能守恒定 律,實驗的簡易示意圖如下,當(dāng) 有不透光物體從光電門間通過 時,光電計時器就可以顯示物體 的擋光時間.所用的西甌XDS-007
14、光電門傳感器可測的最短時間為 0.01ms.將擋光效果好、寬度為d =3.8×10-3m的黑色磁帶貼在透 明直尺上,從一定高度由靜止釋 放,并使其豎直通過光電門.某同 學(xué)測得各段黑色磁帶通過光電門 的時間△ti與圖中所示的高度差 △hi,并將部分?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行了處理, 結(jié)果如下表所示。(取g=9.8m/s2,注:表格中M為直尺質(zhì)量) i (10-3s) vi (m·s-1) △E ki= △hi (m) Mg△hi 1 1.21 3.13 2 1.15 3.31 0.58M 0.06 0.58M 3 1.00 3.78 2.2
15、4M 0.23 2.25M 4 0.95 4.00 3.10M 0.32 3.14M 5 0.90 0.41 (1)從表格中數(shù)據(jù)可知,直尺上磁帶通過光電門的瞬時速度是利用求出的,請你簡要分析該同學(xué)這樣做的理由是: _______________. (2)請將表格中數(shù)據(jù)填寫完整. (3)通過實驗得出的結(jié)論是: . (4)根據(jù)該實驗請你判斷下列k-△h圖象中正確的是( ) A O O O O △h △h △h
16、△h B C D △Ek △Ek △Ek △Ek 16.(12分)現(xiàn)有兩個電阻元件,其中一個是由金屬材料制成的,它的電阻隨溫度的升高而增大,而另一個是由某種半導(dǎo)體材料制成的,其電阻隨溫度的升高而減小?,F(xiàn)對其中一個元件R0進(jìn)行測試,測得通過其中的電流與加在它兩端的電壓數(shù)據(jù)如下表所示: I/A 0.20 0.45 0.80 1.25 1.80 2.81 3.20 U/V 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.50 1.60 ⑴ 根據(jù)表中數(shù)據(jù),判斷元件R0可能是由上述 _____材料制成的,并簡要說明理
17、由。 理由:_____________________ _____________________________ ⑵ 把元件R0接入如圖所示的電路中,閉合開關(guān)后,電流表讀數(shù)為1.80A。已知電路中電源的電動勢為3V,內(nèi)阻不計。此時定值電阻R的電功率________W. ⑶ 請根據(jù)表中數(shù)據(jù)在(a)圖中作出I-U圖線。為了求出通過該元件R0的電流I與電壓U間的具體關(guān)系式,請你適當(dāng)選取坐標(biāo)軸,將表中有關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行適當(dāng)計算,在(b)圖中作出線性圖線,并求出I和U之間的具體關(guān)系式。 I和U之間的具體關(guān)系式為:________________ 17.(15分)對于兩物體碰撞前后速度
18、在同一直線上,且無機(jī)械能損失的碰撞過程,可以簡化為如下模型:A、B兩物體位于光滑水平面上,僅限于沿同一直線運(yùn)動,當(dāng)它們之間的距離大于等于某一定值d時,相互作用力為零;當(dāng)它們之間的距離小于d時,存在大小恒為F的斥力,設(shè)A物體質(zhì)量m1=1.0kg,開始時靜止在直線上某點;B物體質(zhì)量m2=3.0kg,以速度v0從遠(yuǎn)處沿該直線向A 運(yùn)動,如圖所示,若F=0.60N,v0=0.20m/s,求: (1)相互作用過程中A、B加速度的大小; (2)從開始相互作用到A、B間的距離最小時,系統(tǒng)(物體組)動能的減少量; 18.(16分)如圖所示,兩根足夠長的光滑平行金屬導(dǎo)軌相距為
19、L,導(dǎo)軌平面與水平面成θ角,上端通過導(dǎo)線連接阻值為R的電阻,阻值為r的金屬棒ab放在兩導(dǎo)軌上,棒與導(dǎo)軌垂直并保持良好接觸,整個裝置處在垂直導(dǎo)軌平面向上的磁場中,若所加磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小恒為B,使金屬棒沿導(dǎo)軌由靜止向下運(yùn)動,金屬棒運(yùn)動的v-t圖像如圖(b)所示,當(dāng)t=t0時刻,物體下滑距離為s。已知重力加速度為g。試求: (1)金屬棒ab勻速運(yùn)動時電流強(qiáng)度I的大小和方向; (2)求導(dǎo)體棒質(zhì)量m的大??; (3)在t0時間內(nèi)電阻R產(chǎn)生的焦耳熱. 19.(18分)光滑的長軌道形狀如圖所示,底部為半圓型,半徑R,固定在豎直平面內(nèi)。AB兩質(zhì)量相同的小環(huán)用長為R的輕桿連
20、接在一起,套在軌道上。將AB兩環(huán)從圖示位置靜止釋放,A環(huán)離開底部2R。不考慮輕桿和軌道的接觸,即忽略系統(tǒng)機(jī)械能的損失,求: A B R 2R (1)AB兩環(huán)都未進(jìn)入半圓型底部前,桿上的作用力 (2)A環(huán)到達(dá)最低點時,兩球速度大小 (3)若將桿換成長,A環(huán)仍從離開底部2R處靜止釋放, 經(jīng)過半圓型底部再次上升后離開底部的最大高度 O M R2 R1 a b 18題圖 20.(18分)未來人類要通過可控?zé)岷朔磻?yīng)取得能源,要持續(xù)發(fā)生熱核反應(yīng)必須把溫度高達(dá)幾百萬攝氏度以上的核材料約束在一定的空間內(nèi),約束的辦法有多種,其中技術(shù)上相對成熟的是用
21、磁場約束,稱為“托卡馬克”裝置,如圖為這種裝置的模型圖:垂直紙面的有環(huán)形邊界的勻強(qiáng)磁場(b區(qū)域)圍著磁感應(yīng)強(qiáng)度為零的圓形a區(qū)域,a區(qū)域內(nèi)的離子向各個方向運(yùn)動,離子的速度只要不超過某值,就不能穿過環(huán)形磁場的外邊界而逃逸,從而被約束,設(shè)環(huán)形磁場的內(nèi)半徑R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,若磁場的磁感強(qiáng)度B0=1.0T,被約束的離子比荷q/m=4.0×107C/kg。(1)若a區(qū)域中沿半徑OM方向射入磁場的離子不能穿過磁場,粒子的速度不能超過多大?(2)若要使從a區(qū)域沿任何方向射入磁場的速率為2.0×107m/s的離子都不能越出磁場的外邊界,則b區(qū)域磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B至少要有多大?
22、(參考答案) 題號 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 答案 D ACD A D D B AC BD BCD AD AC C 13. 12.(11分) (1)(共5分) AEGH (全對得5分,不全對的每對一項得1分,錯一項扣1分,錯2項扣3分,錯3項本題不得分,本題不得負(fù)分) (2)(6分) ① 減小…………………………………(2分) ② 0 ;……………………………(兩空各2分) 14.Ⅰ選修3-4模塊,本題共11分. (1) A F G H
23、 (5分) 15.(1)瞬時速度等于極短時間或極短位移內(nèi)的平均速度 (2分) (2)4.22 ; 4.00M或4.01M; 4.01M或4.02M (4分) (3)在誤差允許的范圍內(nèi),重力勢能的減少量等于動能的增量 (2分) (4)C (4分) 16.⑴ 半導(dǎo)體
24、 (2分) 隨著電流增大,即元件R0的發(fā)熱功率越大,對應(yīng)電壓與電流的比值越小, 即電阻值越小 (2分) ⑵ 由表中數(shù)據(jù)可知,當(dāng)電流為1.8A時,U0=1.2V 定值電阻兩端的電壓UR = U-U0 =1.8V 定值電阻消耗的功率P = UR I = 3.24W (2分)
25、⑶ I-U圖如圖(a) (2分) I/A U/V 0 (a) 0.4 0.8 1.2 1.6 0.8 1.6 2.4 3.2 I/A U2/V2 0 (b) 3.2 2.4 1.6 0.8 0.8 1.6 2.4 3.2 根據(jù)I-U圖的形狀可以猜想I與U2成線性關(guān)系,如圖(b) (2分) 從圖(b)可得直線的斜率為1.25,所以I = 1.25U2 (2分) 17.()1
26、5分(解:(1) (6′) (2)兩者速度相同時,距離最近,由動量守恒 ……………………………(9分) 18.(16分) …………………………2分 …………………………2分 …………………………3分 …………………………2分 …………………………3分 …………………………2分 …………………………2分 19.(18分) ⑴ 對整體分析,自由落體,加速度g 以A為研究對象,A作自由落體則桿對A一定沒有作用力。 (或列式或以B研究)
27、 (4分) ⑵ AB都進(jìn)入圓軌道后,兩環(huán)具有相同角速度,則兩環(huán)速度大小一定相等 (或通過速度分解得到兩環(huán)速度大小相同) (4分) 整體機(jī)械能守恒: (3分) (1分) ⑶ A再次上升后,位置比原來高h(yuǎn),如圖所示。 由動能定理(或機(jī)械能守恒): (4分) ,
28、 (1分) B A 2R A B A離開底部 (1分) 注:由于桿超過了半圓直徑,所以兩環(huán)運(yùn)動如圖。 O M R2 R1 a b r1 r2 20.解:(1)速度越大軌跡圓半徑越大,要使OM方向運(yùn)動的離子不能穿越磁場,則其在環(huán)形磁場內(nèi)的運(yùn)動軌跡圓中敢大者與磁場外邊界圓相切(本段文字也可用圖形表達(dá)2分) 設(shè)軌跡圓的半徑為r1,則……….3分 代入數(shù)據(jù)解得……….1分 設(shè)該圓運(yùn)動的離子速度為v1, ……….2分 即 ……….3分 (2)設(shè)離子以v2的速度沿與內(nèi)邊界圓相切的方向射入磁場,且軌道與磁場外圓相切時,則以該速度沿各個方向射入磁場區(qū)的離子都不能穿出磁場邊界(也可用圖形表達(dá)2分) 設(shè)軌跡圓的半徑為r2,mj ……….3分 由 ……….2分
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