微電子器件工藝課程設計

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1、 微電子器件工藝課程設計 1 2020 年 4 月 19 日 課

2、 程 設 計 課程名稱 微電子器件工藝課程設計 題目名稱 PNP 雙極型晶體管的設計 學生學院 ___ 材料與能源學院 ___ _ 專業(yè)班級 08 微電子學 1 班 學 號 學生姓名 ____ 張又文 __ _ 指導教師 魏愛香、何玉定 ___ 年 7 月 6 日 文檔僅供參考 廣東工業(yè)大學課程設計任務書 題目名稱

3、  pnp 雙極型晶體管的設計 學生學院  材料與能源學院 專業(yè)班級  微電子學專業(yè)  08 級 1 班 姓 名  張又文 學 號 一、課程設計的內(nèi)容 設 計 一 個 均 勻 摻 雜 的 pnp 型 雙 極 晶 體 管 , 使 T=300K 時 , β=120。 VCEO=15V,VCBO=80V. 晶體管工作于小注入條件下 , 最大集電極電流為 I C=5mA。設計時應盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應的影 響。 二

4、、課程設計的要求與數(shù)據(jù) 1．了解晶體管設計的一般步驟和設計原則 2．根據(jù)設計指標設計材料參數(shù) , 包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū) 摻雜濃度 NE, N B, 和 NC, 根據(jù)各區(qū)的摻雜濃度確定少子的擴散系數(shù) , 遷移率 , 擴散長度和壽命等。 3．根據(jù)主要參數(shù)的設計指標確定器件的縱向結構參數(shù) , 包括 集電區(qū)厚度 Wc, 基本寬度 Wb, 發(fā)射區(qū)寬度 We 和擴散結深 Xjc , 發(fā)射結 結深 Xje 等。 4．根據(jù)擴散結深 Xjc , 發(fā)射結結深 Xje 等確定基區(qū)和發(fā)射區(qū)預 擴散和再擴散的擴散溫度和

5、擴散時間 ; 由擴散時間確定氧化層的氧 3 2020 年 4 月 19 日 文檔僅供參考 化溫度、氧化厚度和氧化時間。 5 ．根據(jù)設計指標確定器件的圖形結構 , 設計器件的圖形尺寸 , 繪制出基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬接觸孔的光刻版圖。 6. 根據(jù)現(xiàn)有工藝條件 , 制定詳細的工藝實施方案。 7．撰寫設計報告 三、課程設計應完成的工作 1. 材料參數(shù)設計 2. 晶體管縱向結構設計 3. 晶體管的橫向結構設計 ( 設計光刻基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬化的掩膜版圖形 ) 4 ．工藝參

6、數(shù)設計和工藝操作步驟 5. 總結工藝流程和工藝參數(shù) 6. 寫設計報告 四、課程設計進程安排 序 地點 起止日期 設計各階段內(nèi)容 號 1 教師布置設計任務 , 講解設計要求和方法 教 1-310 .6.27 學生熟悉設計任務 , 進行資料查閱和整體 圖書館 2 設計方案的制定 工三 311 ．.6.28 設計晶體管的各區(qū)材料參數(shù)和結構參數(shù)設 圖書館 3 計 工三 311 .6.29 教師集中輔導 , 分析材料參數(shù)和結構設計 4. 中

7、存在的主要問題 教 1-302 .6.30 實驗室 2100.7.1- 5 晶體管工藝參數(shù)設計 , 教 1-302 .7.2 6 繪制光刻基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬化的版圖 實驗室 .7.3 4 2020 年 4 月 19 日 文檔僅供參考 教 1-302 .7.4 教師集中輔導 , 分析工藝設計中存在的主 實驗室 8 要問題 教 1- 301 .7.5 實驗室 9 總結設計結果 , 寫設計報告 教 1-301 .7.6

8、 圖書館 , 10 寫課程設計報告 宿室 .7.7 11 教師組織驗收 , 提問答辯 實驗室 .7.8 五、應收集的資料及主要參考文獻 1．<半導體器件基礎 >Robert F. Pierret 著 , 黃如譯 , 電子工業(yè) 出版社 , . 2 ．<半導體物理與器件  > 趙毅強等譯  , 電子工業(yè)出版社  , . 3 ．<硅集成電路工藝基礎  >,  關旭東編著  , 北京大學出版社  , .

9、 發(fā)出任務書日期 計劃完成日期 : 主管院長簽章 :  :  7  年 月  6 月 27 日 指導教師簽名 8 日 基層教學單位責任人簽章  :  : 目錄 廣東工業(yè)大學課程設計任務書 3 一、設計任務及目標 7 二、 晶體管的主要設計步驟和原則 8 2.1. 晶體管設計一般步驟 8 2.2 ．晶體管設計的基本原則 9 5 2020 年 4 月 19 日