吉林省長(zhǎng)市第五中學(xué)高三物理 電磁感應(yīng)復(fù)習(xí)3課件

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1、SN電磁感應(yīng)復(fù)習(xí)電磁感應(yīng)復(fù)習(xí)導(dǎo)體ab長(zhǎng) ,在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,以角速度繞a端轉(zhuǎn)動(dòng),轉(zhuǎn)動(dòng)平面與磁場(chǎng)垂直,則ab的電勢(shì)差為_.Blabl一水平放置的矩形線圈一水平放置的矩形線圈abcd,在細(xì)長(zhǎng)的磁鐵的在細(xì)長(zhǎng)的磁鐵的N極附近豎極附近豎直下落直下落.保持保持bc邊在外邊在外,ad邊在內(nèi)邊在內(nèi),判斷線圈下落時(shí)判斷線圈下落時(shí),從圖中從圖中I到到II過程、過程、II到到III過程過程,線圈中的感應(yīng)電流方向線圈中的感應(yīng)電流方向.adIIIIIISNbc一水平放置的矩形線圈一水平放置的矩形線圈abcd,在細(xì)長(zhǎng)的磁鐵的在細(xì)長(zhǎng)的磁鐵的N極附近豎極附近豎直下落直下落.保持保持bc邊在外邊在外,ad邊在內(nèi)邊在

2、內(nèi),判斷線圈下落時(shí)判斷線圈下落時(shí),從圖中從圖中I到到II過程、過程、II到到III過程過程,線圈中的感應(yīng)電流方向線圈中的感應(yīng)電流方向.abcdIIIIIISN一水平放置的矩形線圈一水平放置的矩形線圈abcd,在細(xì)長(zhǎng)的磁鐵的在細(xì)長(zhǎng)的磁鐵的N極附近豎極附近豎直下落直下落.保持保持bc邊在外邊在外,ad邊在內(nèi)邊在內(nèi),判斷線圈下落時(shí)判斷線圈下落時(shí),從圖中從圖中I到到II過程、過程、II到到III過程過程,線圈中的感應(yīng)電流方向線圈中的感應(yīng)電流方向.abcdIIIIIISN一水平放置的矩形線圈一水平放置的矩形線圈abcd,在細(xì)長(zhǎng)的磁鐵的在細(xì)長(zhǎng)的磁鐵的N極附近豎極附近豎直下落直下落.保持保持bc邊在外邊在外

3、,ad邊在內(nèi)邊在內(nèi),判斷線圈下落時(shí)判斷線圈下落時(shí),從圖中從圖中I到到II過程、過程、II到到III過程過程,線圈中的感應(yīng)電流方向線圈中的感應(yīng)電流方向.abcdIIIIIISNNSNSNSNSNSNSNSBlab自自 感感由于導(dǎo)體本身的電流發(fā)生變化而產(chǎn)生的電磁感應(yīng)現(xiàn)象由于導(dǎo)體本身的電流發(fā)生變化而產(chǎn)生的電磁感應(yīng)現(xiàn)象.abcdD1D2LabcdD1D2LabcdD1D2LabcdD1D2LabcdD1D2LabcdD1D2LabcdD1D2LabcdD1D2LabcdD1D2L自感系數(shù)自感系數(shù)粗細(xì)粗細(xì)長(zhǎng)短長(zhǎng)短疏密疏密有無鐵心有無鐵心利用自感利用自感:增大自感系數(shù)增大自感系數(shù)避免自感的危害避免自感的危

4、害:減小自感系數(shù)減小自感系數(shù)電磁感應(yīng)電磁感應(yīng)感應(yīng)電流的感應(yīng)電流的產(chǎn)生條件產(chǎn)生條件感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小的大小感應(yīng)電流感應(yīng)電流的方向的方向楞次定律楞次定律1.電路閉合電路閉合2.磁通量變化磁通量變化tnsinBl右手定則右手定則自感自感均勻直導(dǎo)線均勻直導(dǎo)線ab,質(zhì)量為質(zhì)量為m,電阻為電阻為R,跨接在跨接在“n”形金屬架上形金屬架上,組成閉合電路組成閉合電路.框架兩豎框架兩豎直平行金屬導(dǎo)線相距為直平行金屬導(dǎo)線相距為L(zhǎng),位于磁感應(yīng)強(qiáng)度位于磁感應(yīng)強(qiáng)度為為B的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,框架電阻不計(jì)框架電阻不計(jì),釋釋放放ab使之由靜止滑下使之由靜止滑下,若框架對(duì)導(dǎo)線若框架對(duì)導(dǎo)線ab的的摩擦力為摩

5、擦力為f,求求:ab下滑的最大速度下滑的最大速度.均勻直導(dǎo)線均勻直導(dǎo)線ab,質(zhì)量為質(zhì)量為m,電阻為電阻為R,跨接在跨接在“n”形金屬架上形金屬架上,組成閉合電路組成閉合電路.框架兩豎框架兩豎直平行金屬導(dǎo)線相距為直平行金屬導(dǎo)線相距為L(zhǎng),位于磁感應(yīng)強(qiáng)度位于磁感應(yīng)強(qiáng)度為為B的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,框架電阻不計(jì)框架電阻不計(jì),釋釋放放ab使之由靜止滑下使之由靜止滑下,若框架對(duì)導(dǎo)線若框架對(duì)導(dǎo)線ab的的摩擦力為摩擦力為f,求求:ab下滑的最大速度下滑的最大速度.GfFIVBILF RIBLmaFfGGfFIVBILF RIBLmaFfG解:對(duì)直導(dǎo)線ab下滑過程受力分析如圖,由牛頓第二定律得:其中安培力大小為:ab產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為:由閉合電路的歐姆定律可得:聯(lián)立以上各表達(dá)式得:maLRBLBfG當(dāng)a=0時(shí),速度達(dá)到最大,為:22)(LBfGR