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1、CUPROSTAR GT-100,卓越貫孔能力(T/P)之 酸性鍍銅浴槽用光澤劑,特點,槽液操作範(fàn)圍大且有卓越的貫孔能力 適用於高電流密度之電鍍 適用於高縱橫比之通孔電鍍 提昇產(chǎn)能效益 良好的延展性 低內(nèi)應(yīng)力 槽液有長期性穩(wěn)定的性能,GT-100光澤劑的貫孔能力,測試條件如下,GT-100光澤劑的貫孔能力,槽液溫度對貫孔能力的影響,通孔孔徑 : 0.3 mm 板厚 : 1.6 mm 電流密度 : 3 A/dm2 硫酸銅 : 70 g/L,Throwing Power of GT-100,電流密度對貫孔力的影響,通孔孔徑 : 0.3 mm 板厚 : 1.6 mm 槽浴溫度: 25 硫酸銅: 70
2、 g/L,Throwing Power of GT-100,硫酸銅濃度對貫孔力的影響,通孔孔徑 : 0.3 mm 板厚: 1.6 mm 電流密度 : 3 A/dm2 槽裕溫度: 25 ,貫孔能力比較,單位: %,通孔孔徑 : 0.3 mm, 板厚 : 1.6 mm (4 layers),電鍍條件比較表,鍍銅層之物性,鍍銅層厚度 40 60 m Tensile Strength (拉力) 30 35 kg/mm2 Elongation (延展性) 15 25 % (Haring Cell樣品) 24 30 % (量產(chǎn)線上樣品),鍍銅層的物性,基材 : FR-4,熱油抗熱性的評估
3、測試,鍍銅層的物性,基材 : CEM-3,,熱油抗熱性的評估測試,槽液穩(wěn)定性,量產(chǎn)之操作條件,槽液穩(wěn)定性,槽液使用時間對孔銅穿透力的影響,孔徑 : 0.4 mm,孔徑 : 0.3 mm,孔徑 : 0.2 mm,板厚 : 1.6 mm,槽液穩(wěn)定性,槽液使用時間對鍍銅層物性的影響,電鍍槽液配製方法,,,新配槽時進(jìn)行之假鍍,添加光澤劑之前 1.0 1.5 A/dm2 4 hours 2.0 2.5 A/dm2 2 hours 主要是除去鍍液內(nèi)之不純物質(zhì) 添加光澤劑之後 基本上: 不需要,電鍍程序,清潔 水洗 2 3 次 酸性活化 酸性鍍銅,,,,前處理操作條件,,酸性清潔,應(yīng)預(yù)先試驗
4、酸性清潔劑對於光澤劑之相容性是否無影響 有些清潔劑會導(dǎo)致電鍍之通孔附近產(chǎn)生淚滴狀不良. 建議搭配使用(AKTIPUR AS)酸性清潔劑 測試添加 10 mL/L 於鍍銅槽液內(nèi)亦不會對鍍銅層產(chǎn)生任何不良影響.,酸性鍍銅槽操作條件,酸性鍍銅槽藥液操作範(fàn)圍,CUPROSTAR GT-100之組成,使用消耗量,每一槽都需監(jiān)控其使用消耗量. 一般使用狀況 Carrier component 100 mL/kAh Brightener component 25 30 mL/kAh 新配槽後 較多之添加劑會被消耗.,藥液添加,一般(槽液穩(wěn)定之後) 自動添加 (必要時,一些額外
5、的手動添加 調(diào)整) 自動添加設(shè)定 : BST 100 mL/kAh 新配槽槽液尚未穩(wěn)定前 人工控制為主自動添加為輔 Note : 自動添加之設(shè)定量要視真實之消耗量調(diào)整.,自動添加設(shè)定值,消耗添加量需視各槽狀況而定. e.g. CST 消耗大是因使用於低電流狀況 而 BST 消耗大則是使用於高電流狀況. 將 BST 和 CST 直接混合於自動添加系統(tǒng)內(nèi). 混合比例 BST/CST ratio : 20/1 6/1,槽液之監(jiān)控管理,Hull Cell 每天及電鍍前測試一次 CVS 每週一次 Dummy Plating (板面之外觀) 在停止電鍍一段時間之後,Hu
6、ll Cell 測試結(jié)果,槽液人工調(diào)整方法,高電流區(qū)燒焦?fàn)顩r,槽液人工調(diào)整方法,低電流區(qū)霧化狀況 Dummy Plating 假鍍 每1 kAh電鍍約能消耗 25 mL CST. Active Carbon Treatment 活性碳處理 Carrier component 能被吸附處理 Brightener component 不能被吸附處理.,活性碳處理條件,使用50 % 稀釋之工作槽液於350 nm波長之吸收度值 Note : 此一方法僅適用於本光澤劑污染判定使用.,活性碳處理,Example 每添加 1 g/L 乾燥之活性碳處理之功效大約是 Carrier comp
7、onent 3 4 mL/L Brightener component 沒有改變 有機污染值(350 nm ABS) 0.2 0.3 ,活性炭處理結(jié)果,活性碳處理時間對BST 濃度的影響,Dry powder/Showa Chemical : 4.0 g/L,活性炭處理結(jié)果,Dry powder/Showa Chemical : 4.0 g/L,,活性碳處理時間對有機污染值的影響,活性炭處理結(jié)果,活性碳使用量對 BST 濃度的影響,Treatment Time : 8 hr,活性炭處理結(jié)果,Treatment Time : 8 hr,活性碳使用量對 CST 濃度的影響,活性炭
8、處理結(jié)果,活性碳使用量對有機污染值的影響,Treatment Time : 8 hr,新配製槽液控制,新配製之槽液並不穩(wěn)定, 未達(dá)到平衡狀態(tài). 光澤劑之消耗量會比較高.,,光澤劑的消耗原因,新配槽 (槽液尚未平衡穩(wěn)定) 電鍍沈積 帶入 / 帶出 槽壁管路及陽極袋的吸附 陽極磷銅球生成黑膜之消耗 光澤劑消耗量較高 槽液穩(wěn)定後 電鍍沈積 帶入 / 帶出,鍍銅槽液穩(wěn)定前之哈氏片特殊現(xiàn)象,新配槽後持續(xù)進(jìn)行電鍍, 有時會在高電流密度區(qū)發(fā)現(xiàn)燒焦現(xiàn)象, (僅管分析其 CST 之濃度是在合理管控範(fàn)圍內(nèi)). 停機一段時間再重新進(jìn)行電鍍時, 有時會在低電流密度區(qū)發(fā)現(xiàn)薄霧現(xiàn)象.,新配製槽液之管控,在
9、鍍銅槽液達(dá)到穩(wěn)定平衡狀態(tài)之前及之後, 其 CST 控制之濃度是有所不同的. 在槽液達(dá)到穩(wěn)定之前, 請利用人工分析後補充添加的方式控制 CST 濃度, 而不使用自動添加 ; 分析是以哈氐片監(jiān)控 ( 而不使用 CVS ).,,CST 濃度控制範(fàn)圍,穩(wěn)定平衡之前的範(fàn)圍 0.5 mL/L 在持續(xù)性的電鍍狀況下, 有時哈氏片結(jié)果會在高電流密度區(qū)發(fā)生燒焦現(xiàn)象, 即使 CST 濃度控制在上限值時, 此為特殊但正?,F(xiàn)象. 穩(wěn)定平衡之後的範(fàn)圍 0.2 0.5 mL/L 有時即使其濃度降為 0.1 0.2 mL/L 範(fàn)圍內(nèi), 但哈氏片結(jié)果也不會看到燒焦現(xiàn)象.,對哈氏片的奇妙結(jié)果之可能性解
10、釋,“Active Species” 活性中間體之概念介紹,活性中間體之特性,是由 CST 逐漸轉(zhuǎn)變而形成的 經(jīng)由電解電鍍的因素而會加速其生成速率 會經(jīng)由沈積或其它因素而消耗 會影響電鍍銅面之外觀 對於電鍍銅面之外觀並不都是適合的 CVS 無法分析其濃度,CST 之可能反應(yīng)機構(gòu),CST 中間活性體 消耗 反應(yīng) 1 反應(yīng) 2 反應(yīng) 1 : 在一般的條件下是緩慢的 (在不運轉(zhuǎn)的空間狀態(tài)下) : 藉助電解作用可被加速的 (E),,, E,電鍍沈積 帶入 / 帶出 槽壁管路及陽極 袋的吸附 陽極磷銅球生成 黑膜之消耗 分解 by
11、O2,新配槽後持續(xù)性之電鍍狀況,CST 濃度 : high 中間活性體的形成 : high 中間活性體之消耗量 : much more higher 結(jié)果 : 因缺乏了 Active Species , 而導(dǎo)致高電流區(qū)之燒焦現(xiàn)象 ; 所以需要補充添加更多的 CST 以利其轉(zhuǎn)變成 Active Species,停機一段時間後再重新啟動進(jìn)行電鍍之狀況,CST 濃度 : high 中間活性體的形成 : high Active Species 消耗量 : much lower (在停機時期)
12、 結(jié)果 : 因為 Active Species 含量過高, 導(dǎo)致低電流區(qū)產(chǎn)生霧化現(xiàn)象; 所以需要進(jìn)行假鍍, 以消耗降低 Active Species 的含量,新配製槽液之分析控管,主要是監(jiān)控 Active Species 之含量 (利用哈氏片之外觀判定其濃度) 哈氏槽分析頻率需增加 e.g. 46小時分析一次,,“穩(wěn)定平衡” 的定義?,生成及消耗兩者間是相同量 Active Species 生成量 Active Species 消耗量 (經(jīng)由沈積或帶入 / 帶出量),,槽液穩(wěn)定平衡之判斷方法,當(dāng)不需要再補充添加 CST 藥液, 並且分析CST 濃度維持在< 0.5 mL/L, 其哈氏片結(jié)果並無任何燒焦的狀況下.,穩(wěn)定平衡所需的時間有多久?,一般狀況 1 週 1 個月 CST之總消耗量約 : 3 10 mL/L 尚需視設(shè)備機臺狀況而有所不同,