數(shù)字電路基礎(chǔ)課件-數(shù)字教案(第7章).ppt

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第七章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,第七章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,7.1 概述 能存儲(chǔ)大量二值信息的器件 一、一般結(jié)構(gòu)形式,！單元數(shù)龐大 ！輸入/輸出引腳數(shù)目有限,二、分類 1、從存/取功能分： 只讀存儲(chǔ)器 (Read-Only-Memory） 隨機(jī)讀/寫 （Random-Access-Memory） 2、從工藝分： 雙極型 MOS型,7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、結(jié)構(gòu),二、舉例,D0 Dm,兩個(gè)概念： 存儲(chǔ)矩陣的每個(gè)交叉點(diǎn)是一個(gè)“存儲(chǔ)單元”，存儲(chǔ)單元中有器件存入“1”，無器件存入“0” 存儲(chǔ)器的容量：“字?jǐn)?shù) x 位數(shù)”=2nxm,掩模ROM的特點(diǎn)： 出廠時(shí)已經(jīng)固定，不能更改，適合大量生產(chǎn) 簡(jiǎn)單，便宜，非易失性,7.2.2 可編程ROM（PROM）,總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲(chǔ)單元不同,寫入時(shí)，要使用編程器,7.2.3 可擦除的可編程ROM（EPROM）,總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲(chǔ)單元不同 一、用紫外線擦除的PROM（UVEPROM）,二、電可擦除的可編程ROM（E2PROM） 總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲(chǔ)單元不同,三、快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory） 為提高集成度，省去T2（選通管） 改用疊柵MOS管（類似SIMOS管）,7.3 隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM,7.3.1 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM） 一、結(jié)構(gòu)與工作原理,二、SRAM的存儲(chǔ)單元,六管N溝道增強(qiáng)型MOS管,7.3.2* 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM） 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元是利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理,7.4 存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展,7.4.1 位擴(kuò)展方式 適用于每片RAM,ROM字?jǐn)?shù)夠用而位數(shù)不夠時(shí) 接法：將各片的地址線、讀寫線、片選線并聯(lián)即可,例：用八片1024 x 1位 1024 x 8位的RAM,7.4.2 字?jǐn)U展方式,適用于每片RAM,ROM位數(shù)夠用而字?jǐn)?shù)不夠時(shí),例：用四片256 x 8位1024 x 8位 RAM,7.5 用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù),一、基本原理 從ROM的數(shù)據(jù)表可見： 若以地址線為輸入變量，則數(shù)據(jù)線即為一組關(guān)于地址變量的邏輯函數(shù),二、舉例,ROM、RAM特點(diǎn)區(qū)別 容量、容量擴(kuò)展（字?jǐn)U展、位擴(kuò)展、字位同時(shí)擴(kuò)展）， 位擴(kuò)展還要寫出每一片RAM的地址范圍 利用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù),作業(yè)：1、2、3、5、6、7、8、11、14,