裝配圖光信號示波器接收頭研制的設計,裝配,信號,示波器,接收,接管,研制,設計
重慶大學本科學生畢業(yè)設計（論文）
光信號示波器接收頭研制
的設計
學 生：羅 剛
學 號：20032625
指導教師：鄒 建
專 業(yè)：信息工程
重慶大學光電工程學院
二OO七年六月
Graduation Design(Thesis) of Chongqing University
Design of Light signal oscilloscope
receiver development
Undergraduate: Luo gang
Supervisor:Assistant Prof.Zou jian
Major: Information Engineering
Opto-electronic Engineering College
Chongqing University
June 2007
重慶大學本科學生畢業(yè)設計（論文） 中文摘要
摘 要
光電傳感器是將光轉化成電的器件。由于它的精度高，反應快，在軍事、民用電器和工業(yè)控制上的應用十分廣泛。本文首先分析了光電傳感器的特點、分類和發(fā)展現狀，提出使用PIN光電二極管的原因，并詳細介紹其特點。在設計要求下，分析實現的方法和途徑。由于PIN光電二極管輸出為電流，而示波器顯示一般用電壓，所以用電流-電壓轉換電路實現電流到電壓的轉換。這樣就能實現在示波器上顯示光信號了，即達到了目的。
在整個電路中也要考慮放大的問題。但是在實現電流-電壓轉換的時候，用的電流-電壓反饋電路，我們可以在反饋電阻的使用上達到目的，即在光電二極管的光電流一定的前提下，反饋電阻越大，電壓越大。同時，我們還可以根據示波器本身電壓倍數可以調節(jié)，來達到放大電路的目的。
任何電路都不能離開電源。在本設計中，要使用到集成運放CA3140。我們使用220V-9V的變壓器，再利用交流直流轉換器，實現交流到直流的轉換，并用電容調整波形，最后提供直流電源。
當然，上面所提到的只是設計的思路，我們還需要仿真模擬。在本設計中，我們使用了電路仿真軟件multisim。在該軟件中，我們得到了理想的仿真結果，達到了設計的要求。
關鍵詞： PIN光電二極管，電流電壓轉換，multisim仿真軟件
IV
重慶大學本科學生畢業(yè)設計（論文） 英文摘要
ABSTRACT
The electro-optical sensor is the component which convertes the light into electricity. Because it’s highly precision, responds quickly, it is extremely widespread in the military, the civil electric appliance and the industry control application .This article has first analyzed the electro-optical characteristic, the classification and the present situation of development, then proposed the reason using the PIN photodiode, and gave details of its features. Under the design request, analysis realization method and way. Because the PIN photodiode outputs for the electric current, but the oscilloscope demonstrated generally uses the voltage, therefore uses the current - voltage switching transform the electric current to the voltage. This will achieve the oscilloscope showing the optical signal, which is to achieve its purpose.
In the entire electric circuit also must consider the problem of amplification. But in achieving the current-voltage conversion, with the current-voltage feedback circuit we may reach the goal in the feedback resistance using, namely premise the photoelectric current certainly, the feedback resistance is bigger, the voltage is greater. Meanwhile, we can also adjusted oscilloscope itself multiple voltage to achieve the purpose amplifier.
Any electric circuit needs the power source. In this design, integrated operational amplifier CA3140 needs power. we use 220V-9V transformer, AC to DC conversion, and capacitance adjustment the wave.
Certainly, above mentioned is only the design mentality, we also need the simulation. In this design, we have used circuit simulation software 'multisim'. In this software, we obtained the ideal simulation result, has met the design requirements.
Key words： PIN photodiode, Current—voltage conversion
Multisim Simulation Software
重慶大學本科學生畢業(yè)設計（論文） 目錄
目 錄
中文摘要 Ⅰ
ABSTRACT Ⅱ
1緒論 1
1.1 光電傳感器 1
1.1.1光電傳感器的原理 1
1.1.2 光電傳感器的分類 1
1.1.3光電傳感器的應用和發(fā)展現狀 2
1.2 光探測器 2
1.3主要工作 4
1.4實現途徑 4
2 PIN光電二極管 6
2.1光電效應 6
2.1.1光電導效應 6
2.1.2光伏效應 8
2.2 PIN光電二極管結構 9
2.3 PIN光電二極管的主要特性………………………………………………………………10
2.3.1 伏安特性2.3 PIN光電二極管的主要特性…………………………………………10
2.3.2量子效率η 11
2.3.3響應度R0 11
2.3.4響應速度 11
3 PIN光電檢測電路 12
3.1基本電路分析 12
3.2噪聲分析 13
3.2.1散粒噪聲 14
3.2.2熱噪聲 14
3.3減小噪聲的改進電路 16
3.4設計PIN光電檢測電路的一般原則 17
4設計與仿真 18
4.1設計的檢測電路 18
4.2集成運放CA3140 19
4.3 電路的仿真 20
4.3.1 仿真軟件介紹 20
4.3.2仿真實驗 20
5驅動電源的設計 24
5.1 整流電路的設計 24
5.1.1半波整流電路 24
5.1.2全波整流電路 26
5.1.3橋式整流電路 27
5.2電容濾波電路 29
5.2.1濾波的基本概念 29
5.2.2電容濾波電路 30
5.2.3濾波原理 30
5.2.4電容濾波電路參數的計算 31
6 硬件制作與調試 32
6.1硬件制作 32
6.2硬件調試 32
7 結束語 35
7.1 本論文工作總結 35
7.2 有待完善之處 35
參考文獻 37
重慶大學本科學生畢業(yè)設計（論文） 1 緒論
1 緒論
本設計是本科生教育改革中的前期探索。在本科生教育開放性實驗中，有許多的實驗是根據本科生自身的要求和特點展開的。本設計做的是探測光信號的波形情況，它主要用于在其他實驗中，將某信號如電信號轉換成光信號的轉換效率或失真程度的判定上。本設計的要求雖然簡單，但意義是十分巨大的。
本次畢業(yè)設計的任務十分明確：學習multisim軟件，并了解其在電子設計中的使用，掌握基本操作規(guī)程。設計光電接收前置單元并且在multisim 中進行模擬仿真。最終制作硬件系統(tǒng)，調試及改進。
在整個畢業(yè)設計中，鍛煉了學生解決問題的設計思路，又掌握了一門很好的電子線路仿真和設計的EDA工具軟件。在硬件制作中，鍛煉了自身的動手能力和實際解決電子線路板常見問題的能力，這為實際工作奠定了基礎。
1.1光電傳感器
1.1.1光電傳感器的原理
光電傳感器又叫光傳感器，是將光信號轉換為電信號的一種傳感器。敏感波長在可見光（0.38~0.76um）附近，包括紅外線光（0.76~1000um）和紫外線光（0.005~0.4um）。其工作原理是基于一些物質的光電效應。光敏二極管是最常見的光傳感器。光敏二極管的外型與一般二極管一樣，只是它的管殼上開有一個嵌著玻璃的窗口，以便于光線射入，為增加受光面積，PN結的面積做得較大，光敏二極管工作在反向偏置的工作狀態(tài)下，并與負載電阻相串聯，當無光照時 ，它與普通二極管一樣，反向電流很小（＜μA），稱為光敏二極管的暗電流；當有光照時，載流子被激發(fā)，產生電子-空穴，稱為光電載流子。在外電場的作用下，光電載流子參于導電，形成比暗電流大得多的反向電流，該反向電流稱為光電流。光電流的大小與光照強度成正比，于是在負載電阻上就能得到隨光照強度變化而變化的電信號。?
1.1.2光電傳感器的分類
常見的光電傳感器有光電管、光敏電阻、光敏晶體管、光電偶合器、顏色傳感器、紅外光傳感器、紫外光傳感器、光纖傳感器和CCD圖象傳感器。
我們按光電效應把傳感器分為3類：（1）在光線作用下能使電子逸出物體表面的外光電效應，如光電管、光電倍增管等；（2）在光線作用下能使物體的電阻率改變的內光電效應，如光敏電阻、光敏晶體管等；（3）在光線作用下物體產生一定方向電動勢的光生伏特效應，如光電池等。在本次設計中，光信號接收頭接收的是微弱快速的光信號，在靈敏度、光譜響應范圍及頻率特性等方面的要求很高，故采用光生伏特型。常用的光生伏特型有Si光電二極管、PIN光電二極管和APD光電二極管。由于Si光電二管的光—電轉換速度較慢、探測調極制頻率較低（光脈沖頻率太高時，出現漏掉光脈沖的現象）等缺點；APD光電二極管響應時間極短，即上千兆的響應頻率，主要用于紅外激光探測。故我們選用PIN光電二極管。它是
在P—n結之間加一本征層(I層)。只要適當控制本征層厚度，使它近似等于反偏壓下耗盡層的寬度，就可使響應波長范圍和頻率響應得到改善，且本征層對提高器件靈敏度和頻率響應起著十分重要的作用。由于本征層的存在，使載流子渡越時間非常短，響應速度很快，可以檢測調制頻率較高(109Hz級)的光信號。
1.1.3光電傳感器的應用和發(fā)展現狀
光電式傳感器可用于檢測直接引起光量變化的非電量，如光強、光照度、輻射測量、氣體成分分析等；也可以用于檢測能轉化成光量變化的其它非電量，如直徑、表面粗糙度、應變位移、振動、速度、加速度以及物體形狀、工作狀態(tài)的識別等。光電傳感器，由于反應快、精度好、無接觸測量，因此在軍事、工業(yè)控制和民用電器中的應用十分廣泛。在軍事上主要包括：水下探測、航空監(jiān)測、核輻射檢測等；在工業(yè)控制上，能檢測零件直徑、表面粗糙度、應變、位移、振動、速度、加速度、以及物體形狀、工作狀態(tài)的識別等；在民事上，其應用更是不勝枚舉，如打印機、傳真機、色度計、醫(yī)療診斷儀器等。美國是最早將光電傳感器用于民用領域的國家。20世紀90年代，日本由東芝、日本電氣等15家公司和研究機構，研究開發(fā)出多種具有一流水平的民用光電傳感器。西歐各國的大型企業(yè)和公司也積極參與光電傳感器的研發(fā)和市場競爭。我國對光電傳感器研發(fā)的起步時間與國際相差不遠。目前，已有上百個單位在光電溫度傳感器、壓力計、流量計、液位計、電流計等領域進行了大量的研究，取得了上百項科研成果，有的達到了世界先進水平。但與發(fā)達國家相比，我國的研究水平還有不小的差距，主要表現在商品化和產業(yè)化方面，大多數品種仍處于實驗研制階段，還無法投入批量生產和工程化應用。
1.2光探測器
光探測器是由光傳感器和信號處理器組成的光信號探測器件。光探測器的波長要求與光源的波長匹配，并能可靠的用于光纖傳輸系統(tǒng)。目前常用的有兩種半導體光探測器，即具有本征層的光電二極管（PIN）和雪崩光電二極管（APD）。
半導體光探測器都是利用光電效應的原理制成的。所謂光電效應是指一定波長的光照射到半導體的PN結時，價帶上的電子吸收光子能量而躍遷到導帶，使導帶中有了電子，價帶中有了空穴，從而使PN結中產生光生載流子的一種現象。
為提高光探測器的響應速度和轉換率，在PN結中P型材料和N型材料之間增加一層輕摻雜的N型材料（即I層，也稱為本征半導體層），就構成了PIN管。APD管是利用光生載流子在耗盡區(qū)內的雪崩倍增效應產生光電流的倍增作用（即內部電流放大作用）的光電二極管。所謂雪崩倍增效應是指PN結外加高反向偏壓后，在耗盡層內形成一個強電場，在耗盡層吸收光子時，光源發(fā)出的光生載流子被強電場加速，以極高的速度與耗盡層的晶格發(fā)生碰撞，產生新的光生載流子，并形成連鎖反應，從而使光電流在光電二極管內部獲得倍增。
衡量光探測器光/電轉換效率的特征參數有量子效率和響應度。量子效率η定義為轉換形成光電流的電子-空穴對數同入射光子數之比，即：
式（1.1）
式中，η—量子效應; n1—入射光子數； n2—光生載流子數；
IP—光生電流（A）；P—入射光功率（W）；h f—光子能量（J）；
h—普朗克常數，h=6.626×10-34j/Hz;
f—入射光頻率（Hz）；e—電子電荷，e=1.6×10-19C。
響應度表示單位入射光功率所產生的光電源，即光探測器的平均輸出電流與入射光功率之比，具體表示為：
式（1.2）
式中，R—光探測器的響應度（A/W）；IP—光生電流（A）；
P—入射光功率（W）；hf—光子能量（J）；η—量子效率；
e—電子電荷，e=1.6×10-19C；λ—入射光波長（um）。
光探測器的響應度是入射光波長的函數。入射光波長太短時，材料對光的吸收系數變得很大，光探測器的光/電轉換效率會大大降低。另一方面，入射光波長必須小于半導體光探測器材料的禁帶能級所要求的截止波長，以保證入射光滿足發(fā)生光電效應的條件。
不同材料的典型響應度特性
表1.1
半導體材料
符號
工作波長范圍/NM
峰值波長范圍/NM
典型響應度/（A/W）
硅
Si
400~1100
800~1000
0.65(800nm)
鍺
Ge
1000~1600
1300~1500
0.75(1310nm)
銦鎵砷
InGeAs
900~1700
1300~1600
0.90(1550nm)
PIN管和APD管的性能比較
表1.2
項目
本征層的光電二極管（PIN）
雪崩光電二極管（APD）
制作工藝
簡單
復雜
成本
低
高
靈敏度
稍差
可比PIN管高3db~10db
偏置電壓
低
高
暗電流
小（最大數納安培）
高（數十至數百安培）
適用范圍
中低速中短距離、高速短距離傳輸
中高速中長距離傳輸
所以選用PIN光電二極管
1.3主要工作
1、 學習multisim軟件，掌握基本操作規(guī)程；
2、 設計光電接收前置單元并仿真運行；
3、 制作硬件系統(tǒng)，調試及改進。
1.4實現途徑
1、設計準備：在研制光信號接收頭前，首先要對本課題現狀進行調查，了解現在國內外的研究現狀，查詢并翻譯相關技術資料，學習multisim軟件，掌握基本操作規(guī)程。再進行系統(tǒng)設計、零件選擇和方案分析論證，對系統(tǒng)的復雜程度、完成的功能、系統(tǒng)的成本、布線的合理性、工作的速度、失真情況等進行權衡，選擇合理的設計方案。
2、設計輸入：打開multisim軟件，在元件庫里尋找合適的元件放置到主窗口上，連線創(chuàng)建仿真電路原理圖。
3、設計處理：在完成電路原理圖后，設置電路圖選項，選擇使用仿真儀器，設定仿真分析方法 ，啟動multisim2001仿真。
4、設計校驗：在仿真分析結果窗口上查看仿真圖，是否符合預測值，如果不符合，那需要檢查電路零件和連線情況，或修改邏輯設計方案，直到得到正確的結果。
5、實物制作：按照設計的原理圖，在印刷電路板上制作硬件系統(tǒng)，并與示波器連接，調試接收頭，查看其接收效果。如果需要，做適當的改進。制作系統(tǒng)外殼及接口。
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重慶大學本科學生畢業(yè)設計（論文） 2 PIN光電二極管
2 PIN光電二極管
2.1光電效應
簡單的說，在光的照射下，使物體中的電子脫出的現象叫做光電效應(Photoelectric effect)。金屬表面在光輻照作用下發(fā)射電子的效應，發(fā)射出來的電子叫做光電子。光波長小于某一臨界值時方能發(fā)射電子，即極限頻率和極限波長。臨界值取決于金屬材料,而發(fā)射電子的能量取決于光的波長而與光強度無關，光電效應分為光電子發(fā)射、光電導效應和光生伏打效應。前一種現象發(fā)生在物體表面，又稱外光電效應。后兩種現象發(fā)生在物體內部，稱為內光電效應。
光電效應有四個實驗規(guī)律：a．陰極 (發(fā)射光電子的金屬材料)發(fā)射的光電子數和照射發(fā)光強度成正比。 b．光電子脫出物體時的初速度和照射光的頻率有關而和發(fā)光強度無關。這就是說，光電子的初動能只和照射光的頻率有關而和發(fā)光強度無關。 c．僅當照射物體的光頻率不小于某個確定值時，物體才能發(fā)出光電子，這個頻率叫做極限頻率(或叫做截止頻率)，相應的波長λ。叫做紅限波長。不同物質的極限頻率和相應的紅限波長λ。是不同的。d．從實驗知道，產生光電流的過程非常快，一般不超過lO-9秒；停止用光照射，光電流也就立即停止。這表明，光電效應是瞬時的。
半導體的電學性質取決于半導體中電子的運動狀態(tài)。當光束投射到半導體表面時，進入體內的光子如果直接與電子作用（吸收、動量傳遞等），引起電子運動狀態(tài)的改變，則半導體的電學性質隨之發(fā)生改變，這類現象統(tǒng)稱為半導體的光電效應。
光電效應有許多種，按照是否發(fā)射電子，光電效應分為內光電效應和外光電效應。內光電效應又包括光電導效應、光伏效應、光子牽引效應和光磁電效應等。
在光電效應中，光子直接與物質中的電子相互作用。物質吸收光子后，將引起物質內部電子能態(tài)的改變。這種改變與光子的能量大小有關，所以光電效應是一種波長選擇性物理效應。
2.1.1光電導效應
半導體的導電性能與其中的自由載流子濃度有關，某一溫度下，由于熱激發(fā)電子從不斷振動的晶格中獲得能量，從價帶躍遷到導帶，從而產生自由載流子。同時由于復合作用自由載流子不斷減少。在一定溫度下，上述兩個過程達到動態(tài)平衡，這時半導體中的自由載流子成為“熱平衡載流子”。如果半導體受到光照，則入射光子將激發(fā)出新的載流子，該半導體的電導率增大。半導體材料吸收光輻射而產生載流子，從而使半導體的電導率發(fā)生變化的現象稱為光電導效應。根據半導體材料對光輻射吸收類型不同，光電導效應又分為本征光電導效應和非本征光電導效應。
對本征半導體，當無光照時，由于熱激發(fā)只有少數電子從價帶躍遷至導帶。這時半導體的電導率很低，并定義為：
式（2.1）
n0和p0分別為無光照射時電子和空穴濃度，un和up分別為電子和空穴的遷移率，σ稱為半導體材料的暗電導。
當光入射到半導體材料上時，半導體價帶中的電子吸收光子后從價帶躍遷到導帶，產生電子—空穴對，從而使半導體的電導率增大，這種現象稱為本征光電導效應。光電導效應實際上是非平衡多數載流子過程。
使電子從價帶躍遷到導帶，入射光子能量至少要和本征半導體的禁帶寬度一樣大，因此要求：
式（2.2）
或寫為：
式（2.3）
式中，v是入射光頻率，λ是光波長，c是光速，h是普朗克常量。
本征半導體的截止波長為：λ0=1.24/Eg (ev),波長大于λ0的光輻射不能產生光電導效應。
上式表明，本征半導體的禁帶寬度Eg越小，則λ0越大。選擇Eg不同的半導體材料可制成截止波長不同的光電導探測器。
入射光激發(fā)非本征半導體中雜質能級上的束縛態(tài)電子或空穴而產生的光生載流子，從而使電導率發(fā)生變化的現象稱為非本征光電導效應。非本征半導體材料的禁帶寬度遠小于本征半導體材料的禁帶寬度，所以非本征光電導的λ0遠大于本征光電導的波長λ0
2.1.2光伏效應
由半導體理論可知，在半導體p-n結的n區(qū)導帶中有較多的電子，在P區(qū)價帶中有較多的空穴。p-n結中由于存在載流子濃度梯度，便發(fā)生電子向P區(qū)、空穴向n區(qū)的擴散。擴散的結果使p區(qū)帶負電，n區(qū)帶正電，中間形成耗盡區(qū)，同時產生由耗盡區(qū)引起的內建電場，內建電場將阻止電子繼續(xù)向P區(qū)擴散，阻止空穴繼續(xù)向n區(qū)擴散，這時p-n結處于平衡狀態(tài)。
在入射光作用下，如果光子能量大于禁帶寬度Eg，則在P區(qū)、結區(qū)和n區(qū)都會引起本征激發(fā)而產生電子空穴對，破壞原來的平衡狀態(tài)。結區(qū)中的光生載流子在結區(qū)內建電場的作用下向相反方向運動，P區(qū)的空穴穿過p-n結進入n區(qū)，n區(qū)的電子進入P區(qū)。若p-n結處于開路狀態(tài)，這些光生載流子就積累在p-n結附近，使P區(qū)獲得附加的負電荷.n區(qū)獲得附加的正電荷。結果使P區(qū)電勢降低，n區(qū)電勢升高。于是在p-n結兩端形成了光生電動勢，這種現象稱為光伏效應。由于光照產生的載流子各自向相反的方向運動，結果在p-n結內部形成自n區(qū)向P區(qū)的光生電流Ip，它與漂移電流方向相同，與擴散電流方向相反。
圖2.1 結構示意圖
與光電導效應相反，光伏效應是一種少數載流子過程。少數載流子的壽命通常短于多數載流子的壽命，當少數載流子復合掉時，光伏信號就終止了。由于這個原因，基于光伏效應的光探測器通常比相同材料制作的光電導探測器的響應更快。
圖2.2 能帶示意圖
2.2 PIN光電二極管結構
PIN光電二極管開始加工的硅片是一塊接近本征的單晶，稱為I層，它有很高的電阻率和很長的載流子壽命。但完全沒有雜質的本征層是很難實現的， P區(qū)和N區(qū)分別利用擴散或離子注入加工到硅片表面，形成陽極和陰極。這兩個極既可以做在硅片兩面，也可以做在同一面的不同區(qū)域。由于光敏二極管并非用于射頻狀態(tài)下，所以對特征頻率和傳輸時間無特殊要求，通常我們采用兩個極做在硅片同一面的方式，這樣的好處還可以增大光感應的面積，提高感應靈敏度。
圖2.3 PIN結構圖
為了改善響應速度和轉換效率，顯然，適當的加大耗盡層寬度是有利的，為此在制造時，在P型材料和N型材料之間加一層輕摻雜的N型材料，稱為I( Intrinsic,本征的)層，由于是輕摻雜，故電子的濃度很低，經擴散作用后可形成一個很寬的耗盡層。另外，為了降低p-n結兩端的接觸電阻，以便與外電路連接，將兩端的材料做成重摻雜的P+層和N十層，此即PIN光電二極管。PIN管在低頻狀態(tài)下的I-V特性類似于PN結的I-V特性。其兩端加反向偏壓，電源電場與內建電場同向，合成結電場使耗盡區(qū)在整個I區(qū)擴展。當能量大于材料禁帶寬度的光子射入時，生成光生載流子，進入耗盡區(qū)，并向兩端漂移，形成光生電流。這樣由于本征區(qū)的引入而使得耗盡區(qū)長度增加，光生載流子進入耗盡區(qū)的幾率增大，且光生載流子獲得比擴散速度高得多的漂移速度，使量子效率和響應速度都得到很大提高。
圖2.4 PIN光電二極管結構和能帶示意圖
當P1N管兩端加上正向的偏壓后，PI結和NI結的勢壘降低，P區(qū)空穴和N區(qū)電子不斷注入到I區(qū)，不斷復合，注入的電子和空穴使I區(qū)電導增加，呈現出低阻抗。
2.3 PIN光電二極管的主要特性
2.3.1伏安特性
PIN光電二極管是反偏壓工作，其伏安特性可表現為：
式（2.4）
式中，I是流過二極管的總電流;I0為反向飽和電流; e為電子電荷；k為玻爾茲曼常數;T為工作溫度;v為加在二極管兩端的電壓; IP是光電流。其特性曲線如圖：
圖2.5 PIN光電二極管的伏安特性曲線
在工作反便電壓一定的情況下，光電流IP正比與入射光功率P0，其關系式為：
式（2.5）
其中，hf是頻率為f的光子能量;h為普朗克常數;η為量子效率。利用這線性關系，就可以對光信號進行直接檢測，轉換成電信號。
2.3.2量子效率η
量子效率η是光電二極管靈敏度的一個量度。它是指在光電二極管中產生的電子—空穴對數與入射的光子數之比:
式（2.6）
國產光電二極管的量子效率一般在30~95%之間。
2.3.3響應度R0
響應度是表征光電二極管靈敏度的另一個物理量，它的定義是指光電檢測器的平均輸出電流IP與其平均入射光功率P0的比值:
（A/W） 式（2.7）
可見，檢測器的量子效率高，其響應便越高，即光電轉換效率越高。國電光電管的響應或靈敏度一般在0.3~0.5 A/ W范圍內。
2.3.4響應速度
光電二極管的響應速度取決于它們的響應時間。響應時間是指它的光電響應時間，即從它接收到光子時起到它能夠有光生電流輸出的這段時間。光電二極管的響應時間的長短反映了光電轉換速度的快慢。目前，國產光電檢測器件的響應時間分別為:PIN
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