《《模擬電子技術基礎》第三版習題解答第5章 放大電路的頻率響應題解》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《《模擬電子技術基礎》第三版習題解答第5章 放大電路的頻率響應題解（16頁珍藏版）》請在裝配圖網(wǎng)上搜索。
1、第五章 放大電路的頻率響應
自 測 題
一、選擇正確答案填入空內(nèi)。
（1）測試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化，可以得到它的頻率響應，條件是 。
A.輸入電壓幅值不變，改變頻率
B.輸入電壓頻率不變，改變幅值
C.輸入電壓的幅值與頻率同時變化
（2）放大電路在高頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是 ，而低頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是 。
A.耦合電容和旁路電容的存在
B.半導體管極間電容和分布電容的存在。
2、 C.半導體管的非線性特性
D.放大電路的靜態(tài)工作點不合適
（3）當信號頻率等于放大電路的fL 或fH時，放大倍數(shù)的值約下降到中頻時的 。
A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍
即增益下降 。
A.3dB B.4dB C.5dB
（4）對于單管共射放大電路，當f ＝ fL時，與相位關系是 。
A.＋45? B.－90? C.－135?
當f ＝ fH時，
3、與的相位關系是 。
A.－45? B.－135? C.－225?
解：（1）A （2）B，A （3）B A （4）C C
二、電路如圖T5.2所示。已知：VCC＝12V；晶體管的Cμ＝4pF，fT = 50MHz，＝100Ω, b0＝80。試求解：
（1）中頻電壓放大倍數(shù)；
（2）；
（3）fH和fL；
（4）畫出波特圖。
圖T5.2
解：（1）靜態(tài)及動態(tài)的分析估算：
4、
（2）估算：
（3）求解上限、下限截止頻率：
（4）在中頻段的增益為
頻率特性曲線如解圖T5.2所示。
解圖T5.2
三、 已知某放大電路的波特圖如圖T5.3所示，填空：
（1）電路的中頻電壓增益20lg||＝ dB，＝ 。
（2）電路的下限頻率fL≈ Hz，上限頻率fH≈ kHz.
（3）電路的電
5、壓放大倍數(shù)的表達式＝ 。
圖T5.3
解：（1）60 104
（2）10 10
（3）
說明：該放大電路的中頻放大倍數(shù)可能為“＋”，也可能為“－”。
習 題
5.1 在圖P5.1所示電路中，已知晶體管的、Cμ、Cπ，Ri≈rbe。
填空：除要求填寫表達式的之外，其余各空填入①增大、②基本不變、③減小。
圖P5.1
（1）在空載情況下，下限頻率的表達式fL＝ 。當Rs減小
6、時，fL將 ；當帶上負載電阻后，fL將 。
（2）在空載情況下，若b-e間等效電容為， 則上限頻率的表達式fH ＝ ；當Rs為零時，fH將 ；當Rb減小時，gm將 ，將 ，fH將 。
解:（1） 。①；①。
（2） ；①；①，①，③。
5.2 已知某電路的波特圖如圖P5.2所示，試寫出的表達式。
圖P5.2
解: 設電路為基本共射放大電路或基本共源放大電路。
5.3 已知某共射放大電路的波特圖如圖P5.3所
7、示，試寫出的表達式。
圖P5.3
解：觀察波特圖可知，中頻電壓增益為40dB，即中頻放大倍數(shù)為－100；下限截止頻率為1Hz和10Hz，上限截止頻率為250kHz。故電路的表達式為
5.4 已知某電路的幅頻特性如圖P5.4所示，試問：
（1）該電路的耦合方式；
（2）該電路由幾級放大電路組成；
（3）當f ＝104Hz時，附加相移為多少？當f ＝105時，附加相移又約為多少？
解:（1）因為下限截止頻率為0，所以電路為直接耦合電路；
（2）因為在高頻段幅頻特性為
8、圖P5.4
－60dB/十倍頻，所以電路為三級放大電路；
（3）當f ＝104Hz時，φ＝－135o；當f ＝105Hz時，φ≈－270o 。
5.5 若某電路的幅頻特性如圖P5.4所示，試寫出的表達式，并近似估算該電路的上限頻率fH。
解：的表達式和上限頻率分別為
5.6 已知某電路電壓放大倍數(shù)
試求解：
（1）＝？fL＝？fH ＝?
（2）畫出波特圖。
解：（1）變換電壓放大倍數(shù)的表達式，求出、fL、fH。
9、
（2）波特圖如解圖P5.6所示。
解圖P5.6
5.7 已知兩級共射放大電路的電壓放大倍數(shù)
（1）＝？fL＝？fH ＝?
（2）畫出波特圖。
解：（1）變換電壓放大倍數(shù)的表達式，求出、fL、fH。
（2）波特圖如解圖P5.7所示。
解圖P5.7
5.8 電路如圖P5.8所示。已知：晶體管的b、、Cμ均相等，所有電容的容量均相等，靜態(tài)時所有電路中晶體管的發(fā)射極電流IEQ均相等。定性分析各電路，將結論填入空內(nèi)。
圖P5.8
（1）低頻特性
10、最差即下限頻率最高的電路是 ;
（2）低頻特性最好即下限頻率最低的電路是 ;
（3）高頻特性最差即上限頻率最低的電路是 ;
解：（1）（a） （2）（c） （3）（c）
5.9 在圖P5.8（a）所示電路中，若b ＝100，rbe＝1kΩ，C1＝C2＝Ce＝100μF，則下限頻率fL≈?
解：由于所有電容容量相同，而Ce所在回路等效電阻最小，所以下限頻率決定于Ce所在回路的時間常數(shù)。
5.10 在圖P5.8（b）所示電路中,若要求C1與C2所在回路的時間常數(shù)相等,且已知rbe=
11、1kΩ，則C1:C2＝? 若C1與C2所在回路的時間常數(shù)均為25ms，則C1、C2各為多少？下限頻率fL≈?
解：（1）求解C1:C2
因為 C1（Rs＋Ri）＝C2（Rc＋RL）
將電阻值代入上式，求出
C1 : C2＝5 : 1。
（2）求解C1、C2的容量和下限頻率
5.11 在圖P5.8（a）所示電路中，若Ce突然開路，則中頻電壓放大倍數(shù)、fH和fL各產(chǎn)生什么變化（是增大、減小、還是基本不變）？為什么？
解：將減小，因為在同樣幅值的作用下，將
12、減小，隨之減小，必然減小。
fL減小，因為少了一個影響低頻特性的電容。
fH增大。因為會因電壓放大倍數(shù)數(shù)值的減小而大大減小，所以雖然所在回落的等效電阻有所增大，但時間常數(shù)仍會減小很多，故fH增大。
5.12 在圖P5.8（a）所示電路中，若C1＞Ce，C2＞Ce，b ＝100，rbe＝1kΩ，欲使fL ＝60Hz，則Ce應選多少微法？
解：下限頻率決定于Ce所在回路的時間常數(shù)，。R為Ce所在回路的等效電阻。
R和Ce的值分別為：
μF
5.13 在圖P5.8（d）所示電路中，已知晶體
13、管的＝100Ω，rbe＝1kΩ，靜態(tài)電流IEQ＝2mA，＝800pF；Rs＝2kΩ，Rb＝500 kΩ，RC＝3.3 kΩ，C=10μF。
試分別求出電路的fH、fL，并畫出波特圖。
解：（1）求解fL
（2）求解fH和中頻電壓放大倍數(shù)
其波特圖參考解圖P5.6。
5.14電路如圖P5.14所示，已知Cgs＝Cgd＝5pF，gm＝5mS，C1＝C2＝CS＝10μF。
試求fH、fL各約為多少，并寫出的表達式。
圖P5.14
解：fH、fL、的表達式分析如下：
14、 5.15在圖5.4.7（a）所示電路中，已知Rg＝2MΩ，Rd＝RL＝10kΩ，C ＝10μF；場效應管的Cgs＝Cgd＝4pF，gm＝ 4mS。試畫出電路的波特圖，并標出有關數(shù)據(jù)。
解：
其波特圖參考解圖P5.6。
5.16 已知一個兩級放大電路各級電壓放大倍數(shù)分別為
（1）寫出該放大電路的表達式；
（2）求出該電路的fL和fH各約為多少；
（3）畫出該電路的波特圖。
解：（1）電壓放大電路的表達式
15、（2）fL和fH分別為：
（3）根據(jù)電壓放大倍數(shù)的表達式可知，中頻電壓放大倍數(shù)為104，增益為80dB。波特圖如解圖P5.16所示。
解圖P5.16
5.17 電路如圖P5.17所示。試定性分析下列問題，并簡述理由。
（1）哪一個電容決定電路的下限頻率；
（2）若T1和T2靜態(tài)時發(fā)射極電流相等，且和相等，則哪一級的上限頻率低。
圖P5.17
解：（1）決定電路下限頻率的是Ce，因為它所在回路的等效電阻最小。
（2）所在回路的時間常數(shù)大于所在回路的時間常數(shù)，所以第二級的上限頻率低。
5.18 若兩級放大電路各級的波特圖均如圖P5.2所示，試畫出整個電路的波特圖。
解：。在折線化幅頻特性中，頻率小于10Hz時斜率為＋40dB/十倍頻，頻率大于105Hz時斜率為－40dB/十倍頻。在折線化相頻特性中，f ＝10Hz時相移為＋90o，f ＝105Hz時相移為－90o。波特圖如解圖P5.18所示。
解圖P5.18
《模擬電子技術基礎》第三版習題解答第5章 放大電路的頻率響應題解
